По сообщению пресс-службы компании Samsung, южнокорейский производитель первым в отрасли начал выпуск кремниевых компонентов памяти LPDDR2 плотностью 4 Гбит в соответствии с нормами технологического процесса 20 нм класса (под это определение подходят 20-29 нм литографические технологии).

Новые изделия позволят Samsung упаковать в микросхеме толщиной всего 0.8 миллиметра 4 кристалла памяти LPDDR2 совокупным объёмом 2 Гбайт и пропускной способностью 1066 Мбит/с. В Samsung ожидают, что представленное решение быстро вытеснит кристаллы плотностью 2 Гбит, изготавливаемые по техпроцессу 30 нм класса. На основе последних собирались микросхемы LPDDR2 объёмом 1 Гбайт, но компания была не в состоянии удовлетворить спрос на изделия с толщиной не более 0.8 миллиметра.

По данным аналитиков, стандарт LPDDR2 в ближайшие годы будет набирать популярность среди производителей мобильной электроники. Если в 2012 году изделия этого типа составят всего 12% от общего числа мобильных микросхем DRAM, то в 2013 и 2014 годах показатель увеличится до 49% и 63%, соответственно.