Завод по производству полупроводников GLOBALFOUNDRIES Fab 8, расположенный в Саратоге (Нью-Йорк, США), начал процесс установки оборудования, предназначенного для трёхмерной компоновки 20нм микросхем. Это событие, по мнению информационного сайта MarketWatch является краеугольным в выпуске многоуровневых микросхем следующего поколения, предназначенных для рынка стационарной электроники и мобильных устройств.

Устанавливаемое оборудование позволит компоновать микросхемы по принципу TSV (Through Silicon Vials). В кремниевой пластине проделываются вертикальные отверстия, заполняемые медью, что образует контактную площадку для очередного слоя. По данной схеме можно разместить банки памяти прямо на микропроцессоре, что существенно увеличит пропускную способность, при сокращении энергопотребления. Кроме того, использование многослойных микросхем позволит сэкономить на разводке материнской платы и материалах, упрощая разработку и снижая цену готового изделия.