На сайте Bright Side Of News появилась информация о разработке, которая позволяет создавать графеновые электронные схемы. Группа специалистов, под руководством профессора Университета Флориды Стефаттина Тонгэя (Stefaattin Tongay) продемонстрировала технологию, позволяющую выращивать 20-нанометровые графеновые дорожки на кремнии.

Методика, подробно описанная в журнале Applied Physics Letters, заключается в образовании графеновой структуры на поверхности карбида кремния (SiC) в процессе выпаривания, при температуре около 1300 градусов по Цельсию. Изюминка технологии состоит в том, что внедрение в SiC ионов кремния или золота снижает температуру образования графена. Таким образом, при нагревании, в местах, содержащих эти ионы, получается графеновый рисунок необходимой формы раньше, чем он покрывает остальную поверхность.

Ранее, команда Тонгэя пыталась процарапывать графеновые дорожки, однако в ходе этого процесса часто возникали механические повреждения, что не позволяло обеспечить надлежащий уровень качества схемы. Применение описанной технологии позволило решить эту проблему, и сейчас учёные стремятся к тому, чтобы снизить температуру образования графена, тем самым уменьшив энергозатраты и потенциальную стоимость таких схем.