На IDF Fall 2011 компания Intel совместно с Micron продемонстрировала любопытную разработку, названную Hybrid Memory Cube (HMC). Полупроводниковое устройство претендует на роль нового стандарта оперативной памяти и представляет собой "слоёный пирог" из кристаллов DRAM, которые располагаются на слое управляющей логики и объединены по принципу "through-silicon via". Трёхмерная структура микросхемы позволяет добиться увеличения пропускной способности в 10-15 раз в сравнении с DDR3 (показанный прототип покорил рубеж в 128 Гбайт/с) и снижения энергопотребления на 70% в пересчёте на единицу переданных данных.

В октябре был создан консорциум HMC, участники которого должны были стандартизировать "кубы памяти" для упрощения интеграции этого типа запоминающего устройства. Скептически настроенная в отношении подобного рода технических революций общественность могла ожидать, что процесс коммерциализации HMC может затянуться, но Micron и IBM объявили о начале производства кристаллов памяти, необходимых для создания HMC.

Микросхемы будут производиться на фабриках IBM в Восточном Фишкилле (штат Нью-Йорк) по 32 нм технологии с применением металлических затворов и "high-K диэлектриков" (HKMG). Первые партии HMC, по всей видимости, достанутся производителям оборудования для построения высокопроизводительных систем, центров обработки данных и суперкомпьютерных кластеров, а после "обкатки" технология станет доступна и для домашних компьютеров. Узнать больше можно на официальной странице Hybrid Memory Cube на сайте Micron.