В ходе мероприятия IDF Fall 2011 компания Intel демонстрировала разработку, которая получила название Hybrid Memory Cube (HMC). Идея проекта, над которым совместно трудятся специалисты Intel и Micron, заключается в размещении микросхем памяти в несколько уровней, что позволяет добиться существенного снижения энергопотребления и не менее существенного прироста пропускной способности (до одного терабита в секунду). Таким образом, разработчики стремятся преодолеть ограничения масштабируемости классической DRAM, которая не способна угнаться за ростом производительности процессоров.

Как сообщает ресурс The Register, Micron совместно с Samsung занимается проблемами стандартизации "кубов памяти". Консорциум HMC, в состав которого помимо упомянутых компаний входят Altera, Open Silicon и Xilinx, ведёт работы по формированию спецификаций не только самих устройств HMC, но и необходимого для работы памяти интерфейса.

В сравнении с существующими "плоскими" микросхемами DRAM, "3D-память" (то есть, несколько слоёв DRAM и слой управляющей логики, соединённых по методу "through-silicon via") занимает примерно на 90% меньше места в пересчёте на единицу объёма, при этом энергопотребление HMC меньше на 70%, а производительность превосходит DRAM в 10-15 раз.

Члены консорциума предполагают, что наиболее оптимальным типом связи HMC с процессорами, GPU и другими специализированными интегральными схемами будет интерфейс "точка-точка". В соответствии с этим, компании подготовят необходимый перечень технических требований, инструментов и другой документации, которая позволит упростить процедуру интеграции нового типа запоминающих устройств. Готовые спецификации будут представлены уже в следующем году. К слову, альянс открыт и готов принять в свои ряды любую заинтересованную в HMC компанию. А вот так выглядит прототип Hybrid Memory Cube, показанный ещё на IDF: