Южнокорейский промышленный гигант, компания Samsung Electronics, объявил о начале массового производства первых в мире микросхем памяти DDR3 DRAM, выполненных с соблюдением техпроцесса 20-нм класса. Производство стартовало на фабрике Line-16, которую Samsung называет самой большой в мире.

Переход на техпроцесс 20-нм класса позволит повысить эффективность производства на 50% и при этом снизить энергопотребление модулей памяти на 40% в сравнении с решениями предыдущего поколения. Для "обкатки" производственных линий, Samsung будет выпускать чипы ёмкостью 2 Гбит, но к концу этого года стартует производство вариантов объёмом 4 Гбит, что позволит создавать модули памяти ёмкостью 16 и 32 Гбайт. В следующем году Line-16 перейдёт на выпуск микросхем, созданных уже по техпроцессу 10-нм класса.

Фабрика Line-16 расположена в комплексе Nano City в городе Хвасон, провинция Кёндиго, что на северо-западе Страны утренней свежести. Двенадцатиэтажное здание завода имеет рабочее пространство площадью около 198 тысяч квадратных метров. На строительство фабрики Samsung потратила около $10 миллиардов.