Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
Здесь будет освоено производство 19 нм памяти.

реклама

Совместное предприятие Toshiba и SanDisk, в котором стороны имеют почти равные доли, начало возводить Fab 5 в Японии в июле прошлого года. Приятно отметить, что потрясения нынешней весны не изменили намерений компании запустить на Fab 5 массовое производство твёрдотельной памяти типа NAND из 300 мм кремниевых пластин. Сегодня на сайте Toshiba появился пресс-релиз, сообщающий о начале серийного выпуска микросхем памяти на Fab 5. Это уже третье предприятие Toshiba в префектуре Миэ, использующее кремниевые пластины типоразмера 300 мм.

Здание Fab 5, имеющее общую площадь производственных помещений 187 000 кв.м, было построено с учётом угроз сейсмического воздействия и внезапных отключений электроэнергии. Для освещения производственных цехов используются светодиодные лампы, оборудование способно экономить электроэнергию. Система транспортировки кремниевых пластин соединяет предприятие с Fab 3 и Fab 4.

реклама

Сейчас на Fab 5 используется 24 нм технологический процесс, первые кремниевые пластины сойдут с конвейера в начале августа. В дальнейшем Toshiba планирует освоить 19 нм техпроцесс - компания рассчитывает подобраться к этому рубежу раньше конкурентов.

Показать комментарии (2)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают