На прошлой неделе компания Samsung объявила, что начала поставки карт памяти типа microSD, соответствующих 10-му классу быстродействия, которые основаны на выпускаемых по технологии 20 нм поколения микросхемах с 3-битной организацией.

Карта памяти объёмом 32 Гб обеспечивает скорость чтения на уровне 24 Мбайт/с, скорость записи – на уровне 12 Мбайт/с. Этого достаточно для воспроизведения видео высокой чёткости при помощи набирающих популярность смартфонов. В феврале прошлого года Samsung освоила производство карт памяти объёмом 32 Гб, которые оснащались выпущенными по технологии поколения 30 нм микросхемами. Переход на более "тонкий" техпроцесс позволит увеличить объёмы выпуска на 30%. К началу следующего года Samsung рассчитывает освоить выпуск микросхем памяти плотностью 64 Гбит по существующей технологии поколения 20 нм.