Каждый элемент литографических технологий, позволяющих превращать кремниевые пластины в процессоры и микросхемы, имеет свой жизненный цикл. Постоянное уменьшение размеров транзисторов бросает учёным и инженерам новые вызовы, а техническое перевооружение производства для внедрения новых технологий стоит колоссальных средств. В итоге производители микросхем пытаются как можно дольше использовать имеющееся оборудование для выпуска всё более сложных изделий.

Как сообщает сайт EE Times, компания Intel уже не надеется внедрить литографическое оборудование со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV) даже в рамках 10 нм технологии, которая будет осваиваться во второй половине 2015 года. Точнее говоря, такая надежда есть, но всё здесь будет зависеть от расторопности производителей оборудования, которые должны наладить поставки соответствующих решений во второй половине 2012 года.

В рамках 45 нм техпроцесса Intel использовала "сухую" литографию с длиной волны лазера 193 нм. При производстве 32 нм процессоров был осуществлён переход на так называемую иммерсионную литографию с прежней длиной волны лазера, она же будет применяться и при выпуске 22 нм микросхем. Возможно, в рамках 10 нм технологии Intel удастся сочетать элементы иммерсионной литографии с длиной волны лазера 193 нм и EUV-решения.

Компания TSMC, кстати, рассчитывает к 2015-2016 годам начать обработку кремниевых пластин типоразмера 450 мм по 14 нм технологии с использованием трёхмерных структур и транзисторов с затвором типа "рыбий плавник" (FinFET). Сам по себе типоразмер пластин 450 мм без изменений в структуре транзисторов может быть принят на вооружение компанией TSMC ещё в рамках 20 нм техпроцесса в 2014 году. Компания Intel уже начала строительство двух фабрик в США, готовых к использованию кремниевых пластин типоразмера 450 мм, но соответствующая миграция должна быть осуществлена не ранее 2015-2017 годов. Скорее всего, 450 мм пластины начнут использоваться на фабриках Intel одновременно с переходом на EUV-литографию. По оценкам независимых экспертов, переход на использование кремниевых пластин диаметра 450 мм потребует от производителей микросхем инвестиций в размере не менее $12 млрд.