LED ТВ 39'' (99см) AKAI
HD READY (720p)
Цена 14'490 руб.
28'' Samsung U28E590D
Монитор ЖК
Цена 19'220 руб.
Gigabyte GTX 1070Ti
GAMING OC-8GD
Цена 35'800 руб.

Сервера размещены в Летняя миграция

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+0 за неделю, всего: 27025) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Новейший Core i5 8600K в Регарде!
  • Ситилинк уронил цену на i7 8700K - дешевле нет
  • Black Friday - распродажа года в Ситилинке. Скидки до 50%

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Samsung начнёт осваивать 20 нм технологию во втором полугодии

Lexagon 24.02.2011 10:00 ссылка на материал | версия для печати | архив

Конкуренция на рынке услуг по контрактному производству полупроводниковых микросхем усиливается в силу объективных факторов: усложняющиеся технологические процессы и растущие затраты на их внедрение заставляют всё большее количество разработчиков отказываться от самостоятельного выпуска микросхем, либо отдавать предпочтение крупным подрядчикам, готовым предложить передовые решения уже сегодня. Наступает на пятки признанным "тяжеловесам" и молодая компания Globalfoundries, желающая подмять по себя крупный кусок этого рынка. Даже компания Intel была замечена в сделках по контрактному производству микросхем для сторонних разработчиков.

Как сообщает сайт EE Times со ссылкой на заявления представителей Samsung, компания предложит клиентам тестовые образцы 20 нм изделий уже во второй половине текущего года. По сравнению с 28 нм техпроцессом, по оценкам Samsung, удастся добиться повышения плотности размещения транзисторов на 50% и повышения на 30% скорости переключения транзисторов при тех же значениях силы тока.

Samsung делает ставку на 20 нм технологию с использованием монолитной подложки, металлизированных затворов и материалов с высоким значением диэлектрической константы (HKMG). В рамках этой технологии будет применяться иммерсионная литография с длиной волны лазера 193 мм. Как и компании Intel, IBM и Globalfoundries, корейский производитель микросхем предпочитает формировать затвор транзистора после температурной обработки кремниевой пластины (gate-last). Альянс IBM-Globalfoundries только недавно отказался от противоположной последовательности обработки (gate-first) в рамках технологических норм "тоньше" 28 нм, и уже продемонстрировал образцы 20 нм изделий в январе этого года. Сторонником методики gate-first остаётся компания TSMC, в этом смысле в индустрии наблюдается своего рода "раскол".

Samsung готова начать выпуск 20 нм микросхем, которые найдут применение в смартфонах, телекоммуникационном оборудовании, портативных устройствах и планшетных компьютерах. Подобные заявления позволяют предположить, что Samsung не собирается уступать конкурентам свою долю рынка услуг по контрактному производству микросхем.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Обвал цен на RX VEGA 64. Разбивай копилку :)
  • 450 комментариев к i7 8700K в Ситилинке. Добавь свой :))
  • Ситилинк РУШИТ цены на Coffee Lake: резко дешевле, чем везде!