Intel Core i3 7350K
LGA 1151 OEM
Цена 11'020 руб.
LED ТВ 48'' TCL
FULL HD
Цена 32'990 руб.
LED ТВ 39'' (99см) AKAI
HD READY (720p)
Цена 14'390 руб.

Сервера размещены в Летняя миграция

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+2 за неделю, всего: 27019) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • 25% скидка на GTX 1060 ASUS
  • Еще одна дешевая GTX 1060 6Gb
  • iPhone 8 - получи официальный смартфон первым в Ситилинк
  • Новейший Huawei Nova 2 Plus уже в Ситилинк

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Samsung начнёт осваивать 20 нм технологию во втором полугодии

Lexagon 24.02.2011 10:00 ссылка на материал | версия для печати | архив

Конкуренция на рынке услуг по контрактному производству полупроводниковых микросхем усиливается в силу объективных факторов: усложняющиеся технологические процессы и растущие затраты на их внедрение заставляют всё большее количество разработчиков отказываться от самостоятельного выпуска микросхем, либо отдавать предпочтение крупным подрядчикам, готовым предложить передовые решения уже сегодня. Наступает на пятки признанным "тяжеловесам" и молодая компания Globalfoundries, желающая подмять по себя крупный кусок этого рынка. Даже компания Intel была замечена в сделках по контрактному производству микросхем для сторонних разработчиков.

Как сообщает сайт EE Times со ссылкой на заявления представителей Samsung, компания предложит клиентам тестовые образцы 20 нм изделий уже во второй половине текущего года. По сравнению с 28 нм техпроцессом, по оценкам Samsung, удастся добиться повышения плотности размещения транзисторов на 50% и повышения на 30% скорости переключения транзисторов при тех же значениях силы тока.

Samsung делает ставку на 20 нм технологию с использованием монолитной подложки, металлизированных затворов и материалов с высоким значением диэлектрической константы (HKMG). В рамках этой технологии будет применяться иммерсионная литография с длиной волны лазера 193 мм. Как и компании Intel, IBM и Globalfoundries, корейский производитель микросхем предпочитает формировать затвор транзистора после температурной обработки кремниевой пластины (gate-last). Альянс IBM-Globalfoundries только недавно отказался от противоположной последовательности обработки (gate-first) в рамках технологических норм "тоньше" 28 нм, и уже продемонстрировал образцы 20 нм изделий в январе этого года. Сторонником методики gate-first остаётся компания TSMC, в этом смысле в индустрии наблюдается своего рода "раскол".

Samsung готова начать выпуск 20 нм микросхем, которые найдут применение в смартфонах, телекоммуникационном оборудовании, портативных устройствах и планшетных компьютерах. Подобные заявления позволяют предположить, что Samsung не собирается уступать конкурентам свою долю рынка услуг по контрактному производству микросхем.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • GTX 1060 6Gb дешевле всего в Ситилинке
  • GTX 1060 нереф за 14 т.р.
  • LED TV 48'' Samsung - мегадешево с суперскидкой. УСПЕЙ
  • Современный 4-ядерник AMD Ryzen по цене 2-ядерных Intel