ASUS GeForce GTX 1060
OC 6Gb
Цена 19'230 руб.
ALCATEL Idol
4S 6070K
Цена 21'990 руб.
Intel Core i5 7600
Kaby Lake 3.5GHz/HDG530
Цена 14'440 руб.

Сервера размещены в Летняя миграция

Мобильные устройства
Конференция
Персональные страницы
Wiki
Статистика разгона CPU (+1 за неделю, всего: 26987) RSS     



Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Дефицит GTX 1070 - смотри, что осталось
  • Дефицит и взлет цен на GTX 1060! MSI Armor дешевле в Ситилинке
  • GTX 1080 Ti - цены ПОКА радуют

Вы можете отметить интересные вам фрагменты текста,
которые будут доступны по уникальной ссылке в адресной строке браузера.

Samsung начнёт осваивать 20 нм технологию во втором полугодии

Lexagon 24.02.2011 10:00 ссылка на материал | версия для печати | архив

Конкуренция на рынке услуг по контрактному производству полупроводниковых микросхем усиливается в силу объективных факторов: усложняющиеся технологические процессы и растущие затраты на их внедрение заставляют всё большее количество разработчиков отказываться от самостоятельного выпуска микросхем, либо отдавать предпочтение крупным подрядчикам, готовым предложить передовые решения уже сегодня. Наступает на пятки признанным "тяжеловесам" и молодая компания Globalfoundries, желающая подмять по себя крупный кусок этого рынка. Даже компания Intel была замечена в сделках по контрактному производству микросхем для сторонних разработчиков.

Как сообщает сайт EE Times со ссылкой на заявления представителей Samsung, компания предложит клиентам тестовые образцы 20 нм изделий уже во второй половине текущего года. По сравнению с 28 нм техпроцессом, по оценкам Samsung, удастся добиться повышения плотности размещения транзисторов на 50% и повышения на 30% скорости переключения транзисторов при тех же значениях силы тока.

Samsung делает ставку на 20 нм технологию с использованием монолитной подложки, металлизированных затворов и материалов с высоким значением диэлектрической константы (HKMG). В рамках этой технологии будет применяться иммерсионная литография с длиной волны лазера 193 мм. Как и компании Intel, IBM и Globalfoundries, корейский производитель микросхем предпочитает формировать затвор транзистора после температурной обработки кремниевой пластины (gate-last). Альянс IBM-Globalfoundries только недавно отказался от противоположной последовательности обработки (gate-first) в рамках технологических норм "тоньше" 28 нм, и уже продемонстрировал образцы 20 нм изделий в январе этого года. Сторонником методики gate-first остаётся компания TSMC, в этом смысле в индустрии наблюдается своего рода "раскол".

Samsung готова начать выпуск 20 нм микросхем, которые найдут применение в смартфонах, телекоммуникационном оборудовании, портативных устройствах и планшетных компьютерах. Подобные заявления позволяют предположить, что Samsung не собирается уступать конкурентам свою долю рынка услуг по контрактному производству микросхем.

Оцените материал →

Объявления компаний (реклама) и анонсы
  • Дефицит и взлет цен на GTX 1060! Palit дешевле в Ситилинке
  • Новейшая GTX 1060 MSI Camo Squad