Недавно компания Intel объявила о намерениях построить в штате Орегон фабрику Fab D1X, способную выпускать 22 нм процессоры. Некоторые источники сразу предположили, что новая фабрика спроектирована с учётом возможности перехода на использование кремниевых пластин типоразмера 450 мм. Как известно, сейчас передовые литографические фабрики используют кремниевые пластины диаметра 300 мм. Чем крупнее пластина, тем больше ядер можно из неё получить, и тем ниже себестоимость каждого - по крайней мере, если техпроцесс отлажен и уровень выхода годных изделий в порядке.

Как сообщает сайт EE Times со ссылкой на результаты исследований аналитиков Barclays Capital, строящаяся Fab D1X действительно изначально рассчитана под установку оборудования, способного обрабатывать кремниевые пластины типоразмера 450 мм. На это указывают и высота потолков производственных помещений, и массивность фундамента в местах установки оборудования, и избыточная производительность системы фильтрации и подачи воздуха в "чистые комнаты".

Впрочем, по мнению экспертов, данный "запас прочности" может быть реализован только несколько лет спустя. Производители оборудования пока не торопятся осваивать типоразмер 450 мм, они ожидают финансирования этого процесса от заинтересованных производителей микросхем и процессоров. Ожидается, что первыми на использование 450 мм пластин перейдут Intel, TSMC и Samsung. Следует учитывать, что эффект от увеличения диаметра кремниевой пластины в полтора раза для некоторых ступеней технологического процесса будет ограничен множителем 1,24 или 1,18, поэтому линейного снижения себестоимости производства одной микросхемы добиться не удастся. Всё осложняется параллельным внедрением новых материалов и литографических технологий, которые также оттягивают на себя существенные ресурсы. По этой причине скорого перехода на 450 мм кремниевые пластины ждать не приходится.