Тестирование модулей оперативной памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 объемом 8 Гбайт

Оглавление

• Вступление
• Характеристики
• Упаковка и внешний вид
• Тестовый стенд и ПО
• Методика тестирования
• Результаты разгона
• Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт
• Заключение

Вступление

Небуферизированные модули DDR3 памяти объемом 8 Гбайт присутствуют на рынке почти год. Долгое время их выбор был невелик, частота ограничивалась стандартным значением 1333 МГц, а цена из расчета на гигабайт была в три раза выше, чем у пары модулей по 4 Гбайта каждый.

Одной из первых о выпуске памяти с объемом 8 Гбайт на модуль заявила компания ADATA, и через некоторое время двухканальный комплект AXDU1333GW8G9-2G был протестирован в нашей лаборатории. К сожалению, данный комплект совсем не порадовал своим разгонным потенциалом по причине его отсутствия.

Позже в продаже появились 8 Гбайт модули Kingston из недорогой серии Value RAM. Хотя они и стоили уже несколько меньше, чем вышеупомянутый комплект ADATA, но до сопоставимого сравнения с парой модулей по 4 Гбайта (по цене, распространенности и рабочим частотам) было все еще очень далеко.

На тот момент только один производитель занимался выпуском микросхем оперативной памяти с плотностью 4 гигабита в объемах, достаточных для массового производства модулей. Это Elpida Memory и их J4208BASE/J4208EASE, работающие соответственно на напряжении 1.50 В и 1.35 В. Для этого использовались производственные мощности компании, расположенные в Японии. Затраты на производство в не самой дешевой стране мира и отсутствие заметной конкуренции стали причиной высоких цен на модули 8 Гбайт. И, несмотря на то, что ранее на тех же заводах выпускали легендарные микросхемы Elpida Hyper, новая память с высокой плотностью оказалась неспособна работать на высоких частотах. Даже 1600 МГц стали для нее проблемой.

Такая ситуация сохранялась до конца прошлого года и совсем не способствовала распространению памяти объемом 8 Гбайт. Особенно, если учесть, что одновременно снизилась стоимость модулей по 4 Гбайта, и разрыв в цене только увеличился. Да и сейчас большинству пользователей вполне достаточно двух (или, в крайнем случае, четырех) модулей по 4 Гбайт. Но в данном обзоре речь пойдет совсем не о том, сколько нужно памяти для решения тех или иных задач. А о том, какие произошли изменения на рынке оперативной памяти в плане ассортимента и цен на модули объемом 8 Гбайт и о том, какие из них следует выбирать для разгона.

Что же изменилось в этом году? Практически все крупные производители памяти, такие как Samsung, Hynix, Micron, Nanya (Elixir) наладили массовый выпуск микросхем плотностью 4 гигабита. Как следствие, в этом сегменте рынка появилась конкуренция, что начало сказываться на ценах. Производством модулей памяти объемом 8 Гбайт занялось множество компаний, что улучшило их распространенность. В итоге у покупателей появился выбор. Стоимость данной памяти все еще не стабилизировалась, но уже сейчас модули по 8 Гбайт можно найти в продаже начиная от $50.

Появление комплектов памяти, состоящих из модулей по 8 Гбайт и работающих на высоких частотах, превышающих 2 гигагерца, явно говорит о том, что и среди новых микросхем с плотностью 4 гигабита появились хорошо разгоняемые. Чтобы узнать, какие именно, на тестирование было взято шесть разновидностей модулей объемом 8 Гбайт по две штуки каждого типа. Несмотря на то, что разброс по цене получился почти двукратный – от 1500 до 2800 рублей за модуль, все эти модели можно отнести к бюджетной категории, как из-за отсутствия радиаторов, так и по причине работы на низкой номинальной частоте.

Характеристики

Характеристики тестируемых модулей памяти перечислены в таблице:

Упаковка и внешний вид

Обзор модулей памяти и результаты их тестирования будут приведены в очередности возрастания стоимости участников.

Начнем с самого дешевого на данный момент варианта среди моделей объемом 8 Гбайт - Silicon Power.

Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

Данная память поставляется в запаянных коробочках из прозрачного пластика с бумажным вкладышем внутри, на котором заявлено, что память прошла проверку и обеспечивается пожизненной гарантией.

Внешне данные модули ничем не выделяются от множества им подобных: зеленый цвет печатной платы и шестнадцать микросхем памяти DDR3 с обеих сторон модуля по восемь с каждой стороны.

На наклейке приведена маркировка модуля (SP008GBLTU133N02), тип памяти (DDR3), номинальная частота (1333 МГц) и значение тайминга CAS Latency (CL9). Страну производства можно определить по штрих-коду (471 - Тайвань).

На модуль установлены микросхемы памяти DDR3 с плотностью 4 гигабита в корпусе FBGA и размером 9.0x10.5 мм:

Их маркировка была изменена производителем модуля на S-POWER 40YT3EB. Но судя по дизайну точки в левом нижнем углу (круг с вертикальными полосами), перед нами одна из разновидностей микросхем производства Elpida Memory:

Об этом также косвенно говорит формат нижней строки маркировки, схожий с теми, что можно встретить на других модулях, использующих микросхемы Elpida с измененной маркировкой. Кстати из нее можно узнать дату производства микросхем – 51-я неделя 2011 года.

К сожалению, на данный момент на сайте Elpida Memory есть информация только о четырехгигабитных микросхемах «A-Die» (Elpida J4208BASE/J4208EASE), а они отличаются большим размером (9.3x13.0 мм).

Но в сети можно найти фотографии более новых микросхем «B-Die» (Elpida J4208BBBG) и, сопоставив размеры, можно предположить, что они используются на Silicon Power SP008GBLTU133N02.

Микросхема SPD:

Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: silicon_power_sp008gbltu133n02_spd.

Модуль основан на шестислойной печатной плате HJ M1 KO-60244:

Следующий на очереди вариант памяти Hexon Technology. Он совсем незначительно дороже предыдущего и за исключением упаковки ничем особенным от него не отличается.

NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

Данный экземпляр попал на тестирование без какой-либо упаковки.

Это еще один зеленый модуль памяти стандартного размера и с микросхемами, установленными с обеих сторон:

Маркировка модуля NP15H51284GF-13, объем 8 Гбайт, номинальная частота 1333 МГц. Гарантия производителя – пожизненная, но в российских магазинах её зачастую ограничивают до 3-5 лет.

Компания Hexon Technology в прошлом использовала микросхемы производства Infineon, но на модуле NCP NCPH10AUDR-13M28 можно увидеть то же, что и на Silicon Power SP008GBLTU133N02:

Размеры 9.0x10.5 мм, дизайн точки и нижняя строка выдают использование все тех же микросхем Elpida «B-Die», только произведенных чуть ранее – на 42-й неделе 2011 года.

Микросхема SPD:

Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: ncp_ncph10audr-13m28_spd.

Печатная плата – шестислойная B63URB 0.70 производства Brain Power:

Переходим к обзору модулей памяти производства компании Patriot Memory. Они дороже вариантов Silicon Power, но все равно по цене ближе к ним, чем к GeIL, Kingston и Samsung.

Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

Данная память относится к недорогой серии Signature Line. Модули поставляются в прозрачной пластиковой упаковке, но в магазин попали уже без неё.

Модуль памяти выполнен на тёмно-зеленой печатной плате стандартного размера с микросхемами, установленными с обеих сторон:

На наклейке указана маркировка модуля (PSD38G13332), его объем (8 Гбайт) и номинальная частота (1333 МГц):

Установлены микросхемы памяти DDR3 с плотностью 4 гигабита в корпусе FBGA и размером 10.5x12.0 мм:

В данном случае верхняя часть маркировки микросхем была нанесена производителем модуля, а по оставшейся части можно определить, что это микросхемы Micron.

Здесь нет точки с двойной спиралью, но подобный вид маркировки уже можно было встретить ранее, например, на модулях Crucial. Чтобы определить тип использованных в Patriot PSD38G13332 микросхем, воспользуемся каталогом на сайте производителя. После установки всех известных параметров находим единственный подходящий вариант MT41J512M8RA-15E ревизии D. Затем, используя декодер, получаем FBGA-код D9PCH.

Микросхема SPD:

Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: patriot_psd38g13332_spd.

Patriot PSD38G13332 использует печатную плату Levin 2601:

Переходим ко второй половине участников тестирования и двухканальному комплекту памяти производства Golden Emperor International Ltd (GeIL).

GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2x8192 Мбайта

Двухканальный комплект памяти GeIL GB316GB1600C10DC относится к «игровой» серии DDR3 Black Dragon. Это означает, что своим внешним видом она отличается от обычной памяти, но при этом её номинальные частоты ещё недостаточно высоки, чтобы она могла быть зачислена к «оверклокерским» решениям. В случае с материнскими платами подобные модели обычно выделяют дизайном системы охлаждения, напоминающим холодное или огнестрельное оружие.

А темой оформления серии Black Dragon, как можно догадаться из названия, стал дракон. Но если за наличие «пистолета» на материнской плате обычно приходится доплачивать значительные суммы, то «дракон» на цену памяти GeIL почти никак не повлиял. Для примера, разница в минимальных ценах на комплект GeIL GB316GB1600C10DC и два модуля Patriot PSD38G13332 (работающих на меньшей частоте) на момент тестирования составляла менее ста рублей.

GeIL GB316GB1600C10DC поставляется в картонной коробке с изображением дракона. С обеих сторон в упаковке есть вырезы, через которые можно разглядеть модули памяти и наклейки на них.

Внутри внешней упаковки из картона есть еще одна из прозрачного пластика, в которой и находятся модули.

Также внутри коробки можно найти небольшую инструкцию, предупреждающую о том, что для оптимальной работы может понадобиться установка таймингов и напряжения. Это предупреждение на тот случай, если дракон не сможет взлететь без вашей помощи или полетит недостаточно высоко.

Радиаторы на модулях не установлены, да и особой необходимости в них нет, поскольку нагрев микросхем несущественный. Особенность серии Black Dragon – использование текстолита, выкрашенного в черный цвет, и изображение двух драконов на обратной стороне каждого модуля. Микросхемы памяти плотностью четыре гигабита в количестве шестнадцати штук установлены на каждый модуль с обеих сторон.

На наклейках присутствует информация о маркировке (GEC38GB1600C9DC), объёме каждого модуля (8 Гбайт), частоте (в виде рейтинга PC3-12800), напряжении (1.5 В) и стране изготовления (Тайвань).

Маркировка микросхем была изменена производителем комплекта памяти на GeIL GL1L512M88BA15BW:

Но если посмотреть внимательно на дизайн точки (вертикальные линии), нижнюю строку маркировки (вида xYWWxxBxxxxx, где Y – год, WW – неделя, B – использование ядра ревизии B) и размеры микросхем (9.0x10.5 мм), то становится ясно, что перед нами еще один случай использования Elpida «B-Die». Таких же, как на Silicon Power SP008GBLTU133N02 и NCP NCPH10AUDR-13M28.

Микросхема SPD:

Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: geil_gb316gb1600c10dc_spd.

Комплект памяти GEC38GB1600C9DC, как и на многих других продуктах, использует печатную плату производства Brainpower. Но если у комплектов GeIL из серии Enchance Corsa она шестислойная, то в случае Black Dragon это уже восьмислойная B83U854 1.00:

Одна из основных особенностей данного комплекта – подсветка, реализованная с помощью двух красных светодиодов, расположенных по краям каждого модуля и выполненных в виде «горящих глаз» драконов:

Переходим к обзору модулей производства Kingston Technology, появившихся на рынке одними из первых среди небуферизированной DDR3 памяти объемом 8 Гбайт.

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

Упаковка типична для модулей Kingston серии Value RAM – черный пластик и прозрачная крышка:

Внутри у KVR1333D3N9/8G, как и у других модулей Kingston серии Value RAM, находится бумажная инструкция по установке:

Модули выполнены на печатной плате стандартной высоты зеленого цвета c микросхемами памяти, установленными с обеих сторон.

На наклейке приведена маркировка модуля (KVR1333D3N9/8G), из которой можно понять что это модуль объемом 8 Гбайт, работающий на частоте 1333 МГц с таймингом CAS Latency 9. Также на наклейке указано рабочее напряжение (1.5 В).

На этот раз маркировка на микросхемах оставлена без изменений. Это четырехгигабитные Elpida J4208EASE-DJ-F, соответствующие стандарту DDR3L, то есть рассчитанные на работу с напряжением 1.35 В. Но в документации к данным микросхемам памяти сказано, что они обратно совместимы со стандартом DDR3, то есть могут работать и с напряжением 1.50 В, чем и воспользовалась компания Kingston, установив их на обычный (не DDR3L) модуль памяти. Видимо, во время производства этих модулей в наличии не оказалось аналогичных микросхем Elpida J4208BASE-DJ-F (1.50 В), которые можно встретить как на Kingston KVR1333D3N9/8G, так и на некоторых других модулях 8 Гбайт.

В случае изменения маркировки отличить четырехгигабитные микросхемы Elpida «A-Die» можно по размерам (9.3x13.0 мм) и сплошному дизайну точки:

А также по линиям сбоку, которые являются одним из дополнительных признаков микросхем Elpida Memory:

Но на данный момент из-за высокой цены, скорее всего обусловленной производством в Японии, четырехгигабитные микросхемы Elpida «A-Die» и использующие их модули – это уже «вымирающий вид». Уже сейчас вместо них на дешевых модулях объемом 8 Гбайт чаще всего можно встретить Elpida «B-Die» с измененной маркировкой.

Микросхема SPD:

Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: kingston_kvr1333d3n9-8g_spd.

Модуль основан на шестислойной печатной плате H2-9:

Завершает обзор модулей DDR3 памяти объемом 8 Гбайт вариант компании Samsung.

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

Проведенное некоторое время назад тестирование бюджетных модулей памяти объемом 4 Гбайта, основанных на микросхемах Hynix, Samsung, Micron и Elpida, показало, что именно первые два производителя выпускают наиболее интересные (с точки зрения разгонного потенциала) микросхемы памяти. Поэтому в тестировании модулей объемом 8 Гбайт не обошлось без участия представителей Samsung. Что касается Hynix, то судя по информации на сайте, у этого производителя также есть микросхемы и модули такого объема, но найти их в продаже пока не удалось.

В очередной раз оригинальные модули Samsung попали на тестирование в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации.

Модуль памяти стандартного размера, выполнен на печатной плате традиционного для Samsung зеленого цвета. Шестнадцать микросхем установлены с обеих сторон модуля по восемь с каждой стороны.

На наклейке указана маркировка модуля (M378B1G73BH0-CH9), его объем (8 Гбайт), рейтинг (PC3-10600), дата (6 неделя 2012 года) и страна производства (Китай).

Компания Samsung использует микросхемы собственного производства. В данном случае это четырехгигабитные SEC K4B4G0846B-HCH9, выпущенные на 4-й неделе 2012 года. Они рассчитаны на частоту 1333 МГц, тайминги 9-9-9-24 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя (1717 Кбайт).

Информация на случай изменения маркировки: размер микросхем 10.0x11.0 мм, дизайн точки в левом нижнем углу – четыре вертикальные линии внутри круга, но при этом сама точка заметно меньше, чем у Elpida.

Микросхема SPD:

Архив с дампом её содержимого в форматах SPDTool и Thaiphoon Burner: samsung_m378b1g73bh0-ch9_spd.

Samsung M378B1G73BH0-CH9 использует печатную плату с маркировкой CK 77-13.

Тестовый стенд и ПО

Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:

• Процессор: AMD FX-8120 (Zambezi), 8-cores, 3100 МГц;
• Охлаждение процессора: Thermalright Archon с двумя 140-мм вентиляторами Thermalright TY-140;
• Термопаста: Arctic Cooling MX-2;
• Материнская плата: ASUS Crosshair V Formula, Rev. 1.01, AMD 990FX+SB950, BIOS 1102;
• Оперативная память:
• Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
• NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
• Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
• GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
• Kingston KVR1333D3N9-8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
• Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333, 1.50 В, 2x8192 Мбайта;
• Видеокарта: Palit GeForce 7300GT Sonic, 256 Мбайт GDDR3, PCI-E;
• Накопители:
• SSD Crucial m4 128 Гбайт, SATA 6 Гбит/с, Firmware v0309 (система, бенчмарки и игры);
• HDD Western Digital WD1002FAEX, 1000 Гбайт, SATA 6 Гбит/с;
• Блок питания: Enermax Revolution 85+ ERV1050EWT, 1050 Вт.

Программное обеспечение:

• Windows 7 Enterprise SP1 x64 v6.1.7601 с обновлениями по март 2012 года;
• DirectX Redistributable (Jun2010);
• AMD AHCI Driver v3.3.1540.22;
• AMD Catalyst v12.2 (v8.950.0) Driver;
• SPDTool v0.6.3;
• Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229;
• MemTest86+ v4.20;
• LinX v0.6.4 + обновленный linpack_xeon64.exe из комплекта Linpack v10.3.7.012.

Методика тестирования

Для проверки разгонного потенциала оперативной памяти использовалась платформа Socket AM3+, состоящая из процессора AMD FX-8120 и материнской платы ASUS Crosshair V Formula. На данный момент это лучшая связка для разгона памяти, позволяющая получать частоты, превышающие три гигагерца. Использование именно FX-8120 не принципиально, для разгона памяти одинаково хорошо подойдет любой ЦП на ядре Zambezi, даже четырех- и шестиядерные модели. А способность материнской платы ASUS Crosshair V Formula к отличному разгону памяти подтверждает тот факт, что мировой рекорд в 1800 (3600) МГц и второй за ним результат в 1745 (3490) МГц были получены именно на ней.

Единственное ограничение по разгону памяти на данной платформе - это частота контроллера памяти (КП). Она не может быть ниже частоты памяти, то есть, чтобы разогнать память, например, до 3 ГГц, необходимо разогнать и КП в процессоре до той же частоты. Предел разгона КП зависит от удачности CPU, эффективности охлаждения и напряжения CPU_NB.

При использовании воздушного охлаждения частота КП у процессоров на ядре Zambezi обычно немного ниже, чем у процессоров Phenom II и Athlon II, но с удачным экземпляром и напряжением в интервале 1.45-1.50 В можно достичь уровня 3 ГГц. При использовании жидкого азота на процессоре напряжение CPU_NB можно поднять до 1.60-1.70 В и получить частоту КП выше 4 ГГц. Перед началом тестирования КП в процессоре был отдельно проверен на стабильную работу вплоть до 2700 МГц. Этого оказалось достаточно, чтобы разгон бюджетной памяти ничто не ограничивало как минимум до частоты 2700 МГц.

Вторичные тайминги для каждого типа модулей индивидуально не подбирались. В этом не было необходимости, поскольку в BIOS материнской платы ASUS Crosshair V Formula есть возможность загрузить профиль с таймингами, оптимизированными для модулей объемом 4 Гбайта (пункт Load 4GB Settings). Этот же профиль был использован и для модулей объемом 8 Гбайт. После его загрузки плата устанавливает задержки следующим образом:

Единственный тайминг, который был проверен отдельно - Command Rate. Разгон по частоте с 1T и 2T при использовании только двух модулей по 4 Гбайта оказался одинаков, поэтому Command Rate был установлен в 1T. Режим работы памяти был установлен в DCT Unganged Mode.

Для разогрева памяти и поиска предельных рабочих частот использовался MemTest86+ v4.20 (не менее четырех проходов теста #5, общей длительностью не менее 12 минут). Управление частотой шины и напряжениями осуществлялось на лету при помощи технологии ROG Connect. Дополнительно, после выявления самой высокой частоты для каждого типа памяти, эта частота проверялась в LinX v0.6.4.

Все модули проверялись со следующим набором напряжений:

• Номинальное для Low-Voltage памяти, соответствующей стандарту DDR3L (1.35 В);
• Номинальное напряжение для всех участвовавших в тестировании модулей (1.50 В);
• Номинальное напряжение для многих «оверклокерских» комплектов памяти DDR3 для процессоров Intel Core i3/i5/i7 (1.65 В).

Далее проверялась способность памяти масштабироваться по частоте с более высоким (выше, чем 1.65 В) напряжением и последующий поиск оптимального для неё напряжения.

Реальное напряжение, измеренное при помощи мультиметра UNI-T M890G, было на 0.02 В выше установленного в BIOS.

Память обдувалась только потоком воздуха, проходящего через пару 140 мм вентиляторов, установленных на процессорном кулере Thermalright Archon. В дополнительном охлаждении не было необходимости, поскольку ни один из протестированных модулей не потребовал для раскрытия своего потенциала напряжения выше, чем 1.75 В. После разогрева под нагрузкой память была теплой на ощупь, но не горячей. Температура воздуха в помещении была на уровне +25°C.

Результаты разгона

Для каждого из протестированных модулей приведены скриншоты (кликабельные, по ссылкам находятся более подробные варианты) с информацией из SPD, полученной при помощи программы Thaiphoon Burner v7.5.0.0 build 0229.

Кроме проверки разгонного потенциала, каждый тип памяти был проверен на минимальные тайминги для стандартных частот (1333, 1600, 1866, 2133 МГц) и напряжения (1.50 В).

Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги: X-(X-1)-(X-2).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на единицу и RAS Precharge (tRP) на двойку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения: слабая и не зависит от установленных таймингов.

Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 9-8-7-15 1T.

NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги: X-(X-1)-(X-2).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на единицу и RAS Precharge (tRP) на двойку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения:

• На номинальной и более низкой частоте: практически отсутствует;
• После разгона до 1500-1600 МГц: крайне слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.75 В.

Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 9-8-7-15 1T.

Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Один из двух модулей Patriot PSD38G13332 оказался заметно хуже второго (примерно на 100-150 МГц). При переразгоне он переставал определяться материнской платой, в то время как второй модуль продолжал стабильно работать на более высоких частотах. Чтобы убедится в том, что это именно разница их разгонного потенциала, а не сложность совместной работы в двухканальном режиме (с этим не было проблем не только у Patriot PSD38G13332, но и у остальных протестированных модулей), оба модуля дополнительно были проверены по отдельности. Полученные на двух модулях результаты показывают потенциал худшего из них.

Оптимальные тайминги:

• X-X-(X-2) на средних частотах (1600-1875 МГц);
• X-X-(X-1) на низких частотах (около 1333 МГц).

Реакция на изменение напряжения: не зависит от установленных таймингов.

• от 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
• от 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (20-30 МГц);
• от 1.75 B до 1.85 B: отсутствует.

Минимальные тайминги для стандартных частот:

• Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-8-7-15 1T;
• Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 10-10-8-15 1T.

GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2x8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

Профиль XMP, устанавливающий частоту 1600 МГц с таймингами 10-10-10-28 и напряжением 1.50 B:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги: X-X-(X-1).

RAS Precharge (tRP) можно понизить на единицу относительно CAS Latency (tCL) без потери по частоте.

RAS to CAS Delay (tRCD) можно понизить на единицу относительно CAS Latency (tCL), но с потерей 50-70 МГц.

Реакция на изменение напряжения:

• при tRCD = tCL: частота изменяется в пределах 10 МГц на каждые 0.10 В.
• при tRCD = tCL - 1: отсутствует.

Минимальные тайминги для стандартных частот:

• Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-8-7-15 1T;
• Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 10-9-9-15 1T.

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги: X-(X-2)-(X-3).

Без потерь по частоте можно понизить RAS to CAS Delay (tRCD) на двойку и RAS Precharge (tRP) на тройку относительно CAS Latency (tCL).

Реакция на изменение напряжения: слабая, но есть во всем интервале от 1.35 В до 1.85 В и не зависит от установленных таймингов.

Минимальные тайминги для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 8-6-5-15 1T

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

Таблица поддерживаемых сочетаний частот и таймингов из SPD:

График с результатами разгона:

Оптимальные тайминги:

• X-(X+2)-(X+2) на высоких частотах (1866-2400 МГц);
• X-(X+1)-(X+1) на низких частотах (1333-1600 МГц).

Реакция на изменение напряжения:

• С ровными таймингами: отсутствует;
• С оптимальными таймингами:
• От 1.35 B до 1.65 B: хорошо масштабируется по частоте (200-300 МГц);
• От 1.65 B до 1.75 B: слабо масштабируется по частоте (10-20 МГц);
• От 1.75 B до 1.80 B: небольшое снижение частоты (10-20 МГц).

Минимальные тайминги для стандартных частот:

• Для частоты 1333 МГц с напряжением 1.50 В: 6-7-7-15 1T;
• Для частоты 1600 МГц с напряжением 1.50 В: 7-8-8-15 1T;
• Для частоты 1866 МГц с напряжением 1.50 В: 8-10-10-15 1T;
• Для частоты 2133 МГц с напряжением 1.50 В: 9-11-11-15 1T.

Десятиминутная проверка в LinX:

Разгон на максимальную частоту памяти в CPUZ – 2600 МГц с таймингами 11-12-12-28 1T и напряжением 1.75 В:

И в завершение еще один тест - возможность совместной работы шести модулей на микросхемах трех разных типов (Samsung M378B1G73BH0-CH9, Patriot_PSD38G13332, GeIL GB316GB1600C10DC) общим объемом 48 Гбайт в трехканальном режиме на материнской плате ASUS Rampage III Black Edition на частоте 1465 МГц (тайминги не оптимизировалась).

Список модулей и комплектов памяти объемом 8 Гбайт

Чтобы облегчить поиск и выбор оперативной памяти для разгона, основанной на «правильных» микросхемах, силами участников оверклокерских форумов формируются списки, по которым можно определить, какие микросхемы памяти используются для производства тех или иных модулей и комплектов оперативной памяти. Есть даже отдельный сайт, целиком посвященный этой теме – RAM List.

Но на таких ресурсах сейчас в основном собирается информация по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 1 Гбит (наиболее часто используемой оверклокерами из-за лучшего соотношения частот и таймингов) и по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 2 Гбит (наиболее высокий разгон по частоте, пусть и с большими таймингами). А по DDR3 памяти с плотностью микросхем в 4 Гбит почти ничего нет, как из-за относительной новизны такой памяти, так и благодаря её меньшей распространенности (особенно среди оверклокеров).

По этой причине был собран свой собственный небольшой список, источником информации для которого послужили QVL-списки производителей материнских плат, сайты интернет-магазинов с фотографиями модулей памяти и другие.

Заключение

В целом модули памяти объемом 8 Гбайт во многом схожи со своими предшественниками на 4 Гбайта. Они по-прежнему требуют использования высоких таймингов для разгона, способны работать на пониженном напряжении (1.35 В), и масштабируются по частоте примерно до 1.65 В. Нагрев микросхем памяти плотностью 4 Гбит незначителен даже при разгоне, так что в радиаторах для них необходимости нет. Но если цены на бюджетные «планки» по 4 Гбайта давно стабилизировались и находятся на уровне 600-700 рублей за модуль, то разброс цен на память объемом 8 Гбайт все еще достаточно большой – от 1500 до 2800 рублей за модуль. Причем по минимальной цене можно купить только то, что совершенно не подходит для разгона.

Модули памяти объемом 8 Гбайт остаются специфическим товаром и пока далеки от того, чтобы стать массовыми, но, несмотря на это, среди них уже есть «из чего выбирать и что разогнать». Если ваши потребности в объеме оперативной памяти все еще можно обеспечить при помощи четырех модулей объемом 4 Гбайта каждый, то на данный момент такой вариант будет выгоднее, чем два модуля по 8 Гбайт. В будущем, скорее всего, снижение цен на память с высокой плотностью продолжится, а разрыв цен между микросхемами Samsung и Elpida сократится. Но пока можно выбрать только два параметра из трех: объем, цена, разгонный потенциал.

Теперь рассмотрим преимущества и недостатки отдельно по каждому типу протестированных модулей памяти.

Silicon Power SP008GBLTU133N02 (S-POWER 40YT3EB) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Запаянная упаковка не позволяет проверить память на совместимость и разгон, не повреждая товарный вид. Высока вероятность того, что память вскроют еще до продажи, чтобы проставить на модули наклейки с серийными номерами.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только с CAS Latency 11.

NCP NCPH10AUDR-13M28 (NCP NP15H51284GF-13) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Низкая цена, в районе 1500 рублей за модуль.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. На частоте 1600 МГц память смогла работать только после повышения напряжения до 1.75 В.

Patriot PSD38G13332 (Patriot PM512M8D3BU-15) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Невысокая цена, лишь немногим выше, чем у памяти на микросхемах Elpida ревизии B (Silicon Power, NCP и прочие).
[+] Микросхемы Micron с плотностью 4 Гбит по разгону хоть и не могут сравниться с Samsung, но все же лучше всех разновидностей Elpida.

GeIL GB316GB1600C10DC (GeIL GL1L512M88BA15BW) DDR3-1600 2x8192 Мбайта

[+] Наличие профиля XMP.
[+] Необычный внешний вид модулей и светодиодная подсветка.
[+] Наличие упаковки.
[+] Использование восьмислойной печатной платы Brainpower.
[+] Пожизненная гарантия.
[-] Плохой разгон. Может работать на частоте чуть выше 1600 МГц даже с пониженным до 1.35 В напряжением, но уровень Micron (и тем более Samsung) недостижим.

Kingston KVR1333D3N9/8G (Elpida J4208EASE-DJ-F) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Наличие упаковки.
[-] Высокая цена из-за использования дорогих микросхем Elpida ревизии A («A-Die»).
[-] Плохой разгон. Неспособность работать даже на частоте 1600 МГц.

Samsung M378B1G73BH0-CH9 (SEC K4B4G0846B-HCH9) DDR3-1333 8192 Мбайта

[+] Лучший разгон среди всей протестированной памяти объемом 8 Гбайт, вполне сравнимый с уровнем разгона модулей 4 Гбайт. Может работать как на высоких частотах (до 2400 МГц), так и на низких таймингах (6-7-7-15 1T при номинальной частоте 1333 МГц).
[-] Самый дорогой вариант памяти объемом 8 Гбайт с номиналом 1333 МГц. Но все равно дешевле оверклокерских комплектов, рассчитанных на работу с частотами от 1866 МГц и выше.

С точки зрения разгонного потенциала все протестированные модули (да и вообще всю память с объемом, равным восьми гигабайтам) можно разделить на три типа, в зависимости от производителя микросхем:

• Elpida. Не способны работать на частотах выше 1600 МГц, да и эту частоту берут далеко не все экземпляры. Модули памяти, основанные на четырехгигабитных микросхемах Elpida ревизии A (J4208BASE, J4208EASE и прочие) отличаются высокой ценой и вероятно скоро исчезнут из продажи. Микросхемы Elpida ревизии B (J4208BBBG и другие), наоборот, используются в самых дешевых (с номиналом 1333 и 1600 МГц) модулях объемом 8 гигабайт многими производителями (A-DATA, Corsair, Mushkin и другие), и со временем их ассортимент будет только больше. Выбор тех, кого не волнует разгон памяти, главное, чтобы она работала и стоила как можно меньше.


• Micron. Память среднего уровня, способная достигать частот 1866-2000 (2133 МГц), в зависимости от удачности и типа использованных микросхем (D9PCH, D9PBC, D9NZZ). Помимо продукции Crucial их можно встретить и в основе других бюджетных модулей, например, Patriot Memory. Есть вероятность найти Micron в комплектах Corsair и G.Skill с номиналом 1866 МГц, поскольку Elpida для них уже не подходит по частотному потенциалу, а Samsung разумнее использовать только в самых дорогих и быстрых комплектах. По цене Micron немного дороже, чем Elpida ревизии B, но существенно дешевле, чем Samsung. Выбор экономных оверклокеров, которым не трудно переплатить сотню-две рублей за каждый модуль, чтобы получить хоть какой-то разгон, но не готовых платить двойную цену за Samsung или ждать пока цены на 8 Гбайт модули окончательно стабилизируются и сравняются (как это уже давно произошло с ценами на память объемом 4 Гбайта).


• Samsung. На данный момент это лучшая для разгона память с плотностью 4 гигабита, но она же и самая дорогая. Микросхемы Samsung способны работать на частотах, значительно превышающих 2 ГГц. Встретить можно либо в виде оригинальных модулей Samsung, либо в топовых «оверклокерских» комплектах (например, производства G.Skill или GeIL), рассчитанных на номинальные частоты от 2133 МГц и выше. Эта память для тех, кто хочет получить не только большой объем, но и высокие частоты. Комплекты памяти объемом 64 Гбайта (8x8192 Мбайта), работающие на частотах 2133-2400 МГц, обойдутся вам в $800-950, не считая пересылки в Россию. Отдельные модули Samsung Original уже можно купить в России, и они немного дешевле «оверклокерских» комплектов, но даже их не каждый энтузиаст может себе позволить.

Неясными остаются только возможности 4 Гбит микросхем Nanya (Elixir) и Hynix. Найти в продаже модули памяти на их основе пока не удалось. Но если учесть, что после увеличения плотности микросхем от 2 до 4 Гбит расстановка сил между Elpida, Micron и Samsung в целом осталась прежней, то можно предположить, что от Nanya (Elixir) ничего особенного ждать не стоит, а Hynix снова может составить конкуренцию Samsung. Но это уже тема для отдельного исследования.