Оглавление

• Вступление
• Характеристики
• Упаковка и внешний вид
• Тестовая конфигурация
• Методика тестирования
• Результаты разгона
• Заключение

Вступление

Прошло немало времени с момента последнего тестирования комплектов памяти на нашем сайте. За это время рынок RAM практически не изменился. Новые комплекты выходят очень «неохотно», да и те оснащаются уже знакомыми микросхемами. Нам же остаётся тестировать то, чем наполнен компьютерный рынок Москвы.

Сегодня вас ждёт знакомство с тремя совершенно разными комплектами оперативной памяти стандарта DDR3.

Первый из них – уже знакомые нам планки Samsung с номинальной частотой 1333 МГц и “дикими” задержками 9-9-9. Получить их снова на тест оказалось для меня большой неожиданностью. Выдали мне их со словами: “Они могут работать на ДВУХ гигагерцах! Проверь…” Видимо, это был один из тех, кто читал ветку обсуждения статьи «Все ли DDR3-1600 одинаково полезны? Сравнение разночастотных комплектов DDR3», согласившийся с теми, кто доказывал мне возможность работы модулей Samsung на куда более высоких частотах. Хотя мало кто из них говорил о рабочих таймингах и о стабильности этих частот…

Два других комплекта представляют собой “оверклокерские киты” именитых брендов. Один - попроще и подешевле, другой – покрасивше, побыстрее и подороже. Насколько каждый из них оправдывает вложенные деньги, нам и предстоит узнать.

Характеристики

Все представленные сегодня модули относятся к трём различным ценовым категориям. Разница между двумя граничными почти в два раза. Наборы от Corsair, по всей видимости, представляют некую производную от уже рассмотренного комплекта TR3X6G1600C7, потерявшего один модуль, и с немного изменёнными таймингами.

Кит от Kingston есть не что иное, как двухканальный вариант KHX2000C8D3T1K3/6GX, который вышел на рынок заметно раньше. Никакой разницы, кроме количества модулей, между ними нет.

Оперативную память от Samsung можно купить исключительно по отдельности, комплекты не предусмотрены.

В SPD памяти Samsung ничего интересного – четыре стандарта JEDEC и напряжение 1.5 В. Дата производства – 16 неделя 2010 года.

Зато показали себя не в лучшем свете инженеры Corsair, которые что-то перепутали и записали в SPD значения 8-7-8-20 (для единственного профиля XMP), против указанных в технических характеристиках 7-8-7-20. Внимательнее надо быть, внимательнее…

Выбивается из картины “любимый” мною Command Rate – 2T. Но, как вы догадываетесь, память прекрасно работает и при 1T. Кроме него можно обратить внимание и на Max Bandwidth в PC3-10700. Впрочем, к нему я уже привык…

Дата производства, к сожалению, не указана.

Интереснее всего дела обстоят с “двухгигагерцовыми монстрами”. Мало того, что максимальная ПСП указана в 10700, так ещё и на горизонте маячит крайне интересный профиль XMP-3500 с указанной реальной частотой 1750 МГц. “Шутники, да и только…”

Ещё один XMP профиль несёт в себе значения куда более близкие к указанным производителем в технических характеристиках. Значение CR не приведено. Напряжение для обоих профилей стандартно – 1.65 В. Здесь компания Kingston не обманула… “Хоть здесь”

Упаковка и внешний вид

Комплекты относятся к разным классам “мозгов” ПК, от чего упаковка заметно отличается.

Модули Samsung снова попали ко мне в руки в антистатическом пакете, но на этот раз с наклейкой Western Digital… При реальной покупке в магазине, скорее всего, вам просто выдадут их без какой-либо обёртки.

Кит от Corsair поставляется уже в привычной для нас цветастой картонной коробке. Её размеры полностью повторяют упаковку от трёхканальных комплектов, поэтому внутри обнаруживаются три(!) пластиковых блистера. Как можно догадаться, лишь в двух из них находятся модули памяти.

Инструкция отсутствует. Вся необходимая информация присутствует на обратной стороне упаковки.

Ситуация с модулями Kingston в целом похожа. Уже знакомая многим читателям пластиковая коробка, крышка которой выполнена из прозрачного пластика. Естественно, за счёт больших размеров системы охлаждения памяти сама упаковка непривычно большая. Внутри можно обнаружить буклет с инструкцией по установке и информацию по гарантийным обязательствам.

Любая попытка воспользоваться модулями отразится на девственности защитного стикера. Именно поэтому вероятность купить бывший в употребление (Б\У) комплект, предлагаемый под видом нового, крайне низка.

Все представленные модули заметно разнятся по показателям масса/габариты. Ещё бы! Сказывается отсутствие СО у Samsung и её наличие у планок Corsair и Kingston…

Цвет печатных плат почти не отличается и представлен зелёными оттенками. Стоит отметить модули Samsung, цвет которых претерпел явные изменения по сравнению с ранее рассмотренными экземплярами. Теперь его можно описать как грязно-коричнево-зелёный. Будущие покупатели, будьте бдительны ;).

Системы охлаждения комплектов от Corsair и Kingston отлично справляются со своими обязанностями. Разница в размерах и структуре СО никоим образом не сказалась на температурном режиме. В итоге штатных систем охлаждения хватает с избытком.

Используемые радиаторы полностью накрывают охлаждаемые микросхемы. Зазоров выявить не удалось.

Модули Samsung используют уже знакомые нашим читателям микросхемы SEC HCH9. Дата производства – 13 неделя 2010 года. Вторая строчка маркировки - EABK87B3C (у модулей из прошлой статьи - EAJ409A2).

Оперативная память компании Corsair уже не первый раз попадает к нам на тестирование и всё так же не поддаётся попыткам снять радиаторы. За счёт этого определить применяемые микросхемы не удалось.

Желание узнать правду привело меня на официальный форум Corsair. В одной из тем по CMX4GX3M2A1600C7 был найден ответ технической поддержки компании о том, что в ревизии 7.1 применяются микросхемы PSC – Powerchip Semiconductor. Насколько они хороши – читайте результаты разгона.

С планками Kingston оказалось всё куда проще. Одна часть радиатора под воздействием силы рук и плоской отвертки сдалась спустя минуту. Необходимости снимать вторую не возникло.

Передо мной сразу предстали, пожалуй, лучшие из ныне производимых микросхем Elpida MGH-E Hyper, уже рассмотренные моим коллегой SAV полгода назад. Они используются в самых высокопроизводительных оверклокерских комплектах DDR3 и, видимо, по праву заслуживают высокие оценки от самых именитых бенчеров.

“Чипы”, используемые на данных модулях, изготовлены на 42 неделе 2009 года.

PCB модулей Samsung произведены самой компанией и имеют маркировку VO8 M378B5673EH1. О количестве слоев ничего не сказано, да и как мне кажется – для таких микросхем это неважно.

Печатная плата модулей от Corsair отличается отсутствием какой-либо информации. О её многослойности нет никаких данных. Про определение количества слоёв на ощупь или на глаз я решил забыть.

PCB комплекта Kingston тоже не изобилует информацией. Маркировка 2025403-OF1A00 – единственное, что удалось найти. С определением слоёв PCB – проблема. Гадать не буду…

В системном блоке планки Samsung ничем не выделяются и ничему не мешают.

“Корсары” за счёт используемой чёрной краски радиаторов скрываются во "мраке" и практически незаметны.

Из-за «пафосности» планок Kingston их высокие алюминиевые радиаторы с развитой структурой могут стать большой проблемой при желании поставить четыре модуля одновременно. Использование высокопроизводительных башенных кулеров вероятно помешает установке модуля в самый ближайший к сокету разъём памяти. Так было в моём случае при использовании Noctua NH-D14 даже со снятым вентилятором. Так что будьте осторожны в выборе…

Тестовая конфигурация

Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:

• Процессор - Intel Core i7-860 (Lynnfield);
• Система охлаждения –Cooler Master Hyper 212 Plus;
• Термопаста - Arctic Silver 5;
• Материнская плата - MSI P55-GD80, Intel P55, BIOS 1.7;
• Память №1 - Samsung M378B5673FH0-CH9, 2x2048 Мб DDR3-1333 МГц;
• Память №2 - Corsair CMX4GX3M2A1600C7, 2x2048 Мб DDR3-1600 МГц;
• Память №3 – Kingston HyperX KHX2000C8D3T1K2/4GX, 2x2048 Мб DDR3-2000 МГц;
• Дополнительный вентилятор - Scythe Kama-Flex 1600 RPM;
• Видеокарта - Sapphire Radeon HD3450 512 Мб GDDR2 PCI-E;
• Жёсткий диск - Seagate ST3500418AS 7200.12, 500 Гб;
• Блок питания - Cooler Master RS-A00-ESBA 1000 Вт.

Методика тестирования

Для проверки на разгон была выбрана платформа на последнем наборе логики Intel - P55. Такой выбор обусловлен более низкими частотами Uncore блока по сравнению с X58, что в свою очередь позволяет поднять планку разгона оперативной памяти до больших высот.

Платформа AMD не использовалась также из-за соображений о максимальном разгоне. В любом случае - мы проверяем оперативную память, и, чтобы выжать из неё все "соки", платформа на LGA1156 подходит, пока что наилучшим образом.

Тестирование стабильности происходило с помощью всем известной программы Prime95. Она довольно сильно нагружает систему, и иногда при частотах, на которых наблюдается нестабильность, возможна работа без ошибок во многих других приложениях (игры, бенчмарки и т.д). Работа, конечно, возможна, но как долго? Профессиональные бенчеры, я думаю, могут прибавить около 30-50 МГц к тем результатам, которые будут отражены в таблице. При этом прохождение многих тестов должно проходить без сбоев и их последствий.

Игнорирование DOS-утилиты MemTest86+ связано с тем, что я стараюсь находить те частоты, при которых система будет стабильно работать 24 часа в сутки 7 дней в неделю, а не просто проходить определённый бенчмарк. При успешном прохождении Prime95 в режиме Blend в течение 30 минут выставленная частота определялась как стабильная и заносилась в таблицу.

Для раскрытия потенциала памяти до частот 2200 МГц применялось напряжение VTT от 1.32 В до 1.37 В (в зависимости от напряжения и частоты памяти). После преодоления данного частотного барьера для дальнейшего увеличения частоты памяти значение VTT Voltage принимало значение 1.45 В.

Для частот памяти ниже 2000 МГц тайминг B2B-CAS Delay устанавливался в положение 0, а выше этой частоты - 6. Значение Command Rate всегда принимало положение - 1T. В случае с сегодняшними комплектами напряжение DRAM составляло от безопасных 1.45 В до 1.95 В с шагом 0.1 В, при этом используемый диапазон напрямую зависел от установленных микросхем.

На пониженном (1.45-1.55 В) напряжении никакого дополнительного охлаждения не использовалось. Начиная с 1.65 В, в целях безопасности (а так же невозможности перегрева), напротив модулей памяти устанавливался 120-мм вентилятор Scythe Kama-Flex с 1600 об\мин.

Реальное напряжение, подаваемое на память, измерялось с помощью мультиметра Mastech DT9208A. Среднее отклонение от значений, заданных в BIOS, составило 0,0069 В.

В сегодняшнем тестировании принимал участие процессор Intel Core i7 860. При понижении множителя CPU до 17х он обладает 100%-ой стабильностью в тесте LinX 0.6.4 при 205 МГц базовой частоты (BCLK). Вкупе с максимальным множителем DRAM - 6х (12x) это позволяет покорять частоты памяти вплоть до 2460 МГц. Найденные частоты BCLK не являются максимальными, и в том случае, когда в мои руки попадёт оперативная память, которая будет упираться в названную выше границу, эксперименты будут продолжены.

В ходе тестирования множитель DRAM лежал в пределах 4-6x, конкретные значения выбирались в зависимости от частоты памяти. Во всех случаях модули памяти были установлены в двухканальный режим, соответственно использовалось 2 модуля.

Результаты разгона

Диапазон напряжения для модулей Samsung был определён исходя из результатов, полученных в ходе прошлых тестирований модулей Transcend и Samsung на чипах SEC HCH9, и составил 1.45-1.85 В.

Температурный режим во всём диапазоне оставался в допустимых пределах. Ожогов автор не получил даже без использования обдува при напряжении 1.85 В после 30-тиминутного прогона Prime95.

Результаты разгона представлены ниже:

• Модули способны работать во всём диапазоне используемых напряжений;
• Практическое отсутствие роста частот при поднятии напряжения;
• При тестировании памяти с помощью Prime95 микросхемы памяти оставались еле тёплыми во всём диапазоне используемых напряжений (при условии доп.обдува);
• Крайне низкие результаты при использовании таймингов вида: 6-6-6-18 и 7-7-7-20;
• Каждая ступень ослабления задержек добавляет в среднем по 200 МГц в независимости от используемого напряжения;
• В целом, необходимость использования напряжения выше 1.65 В отсутствует. Дополнительные 10-20 МГц не стоят вероятной будущей деградации от использования высокого напряжения;
• Возможность работы модулей на частотах ~2000 МГц при таймингах вида: 10-10-10-30;
• Из неуказанных данных в графике можно отметить стабильную работу памяти на частоте 2025 МГц, напряжении 1.755 В и таймингах 9-10-10-27-98-1T
• Общий разгонный потенциал выше, чем у протестированных ранее модулей Transcend и Samsung на аналогичных микросхемах.

Для планок Corsair диапазон был определён теми же пределами. Сей выбор подтверждали и результаты разгона трёхканального комплекта Corsair, побывавшего у нас в лаборатории несколько месяцев назад.

За счёт неровных задержек по техническим характеристикам (7-8-7-20) модули были протестированы с дополнительными сочетаниями таймингов, в которых значение tRCD повышалось на единицу относительно tCL и tRP

Температурный режим протестированных модулей не вызывает беспокойства при использовании любого из напряжений. Модули остаются тёплыми.

Разгонный потенциал оказался следующим:

• Максимальная частота при заявленных в ТХ таймингах и напряжении более чем на 100 МГц выше относительно номинально указанного значения;
• Увеличение значения задержки tRCD крайне положительно влияет на рост тактовой частоты памяти;
• Практическое отсутствие отклика на поднятие напряжения при ровных задержках (прим: 6-6-6-18, 7-7-7-20 и т.д);
• Потеря разгонного потенциала при переходе границы напряжения в 1.56 В в семи из восьми случаев;
• Очень низкие результаты при значении tRCD – 6 и 7.
• При напряжениях выше 1.65 В оперативная память очень резко теряла значения стабильных частот;
• Возникает чувство, что компания Corsair тестирует модули лишь на одном сочетании таймингов (7-8-7-20). Именно на нём повышение напряжения до указанных в технических характеристиках 1.65 В дало небольшой прирост тактовой частоты;
• Высокие результаты при номинальном напряжении с таймингами 9-9-9-27.
• Возможность работы памяти при низком напряжении в 1.45 В с достаточной для большинства тактовой частотой.
• Резкий прирост частоты (до 2166 МГц) при таймингах 9-10-9-27 с напряжением DRAM 1.56 В.

C модулями Kingston HyperX всё оказалось куда интереснее. Микросхемы Elpida MGH-E Hyper отлично отзываются на поднятие напряжения, поэтому его диапазон составил от 1.56 В до 1.95 В.

Кроме того, при использовании модулей памяти, “построенных” на Elpida Hyper, рекомендуется поднимать тайминг tRCD, как я это и сделал при тестировании планок Corsair. Позволю себе процитировать моего коллегу по “цеху” SAV’а: «Несмотря на то, что данная память по умолчанию имеет "ровные" первичные тайминги (8-8-8), она не была с ними протестирована. Для чипов Elpida Hyper на низких напряжениях (до 1.75V) тайминг RAS# Precharge (tRP) можно понижать на единицу относительно CAS Latency (tCL) и RAS# to CAS# Delay (tRCD), а на высоких (выше 1.75V) - tRCD следует повышать на единицу относительно tCL и tRP.»

Второй совет я сразу взял на заметку (как уже указано выше), а с первым решил расстаться в пользу тех самых “ровных” таймингов. Сделано это в первую очередь для более наглядного сравнения комплектов между собой.

В ходе тестирования массивная система охлаждения оправдала себя на все 100%. Модули оставались теплыми без обдува даже при напряжении в 1.95 В. Насколько это безопасно – я не знаю. А посему повторять такие эксперименты на большом временном отрезке не рекомендую.

В итоге – полученные результаты:

• Очень серьёзный прирост частот при изменении напряжения на рабочих таймингах: 6-6-6-18, 6-7-6-20, 7-7-7-20, 7-8-7-20;
• Высокие результаты при напряжении 1,755 В на всех протестированных сочетаниях задержек;
• Возможность работы во всём диапазоне выбранных напряжений;
• Заявленные технические характеристики практически полностью соответствуют возможностям памяти: при напряжении в 1.65 В и таймингах 7-8-7-20-1T стабильная частота составила 2015 МГц;
• Феноменальные результаты, полученные при таймингах 6-6-6-18 и 6-7-6-20;
• Память “раскрывается”, начиная с напряжений 1.755-1.845 В;
• Начиная с CL8 максимально стабильная частота (LinX, Prime95) “зависает” на значении 2262 МГц уже при 1.845 В. Бубен не помог (читай: 2 часа перебора различных параметров)… увы. Но учтите – 3Dmark’и и прочая “нечисть” работают на частотах вплоть до 2350 МГц, больше просто не пробовал;
• Увеличение значения задержки tRCD крайне положительно влияет на рост тактовой частоты памяти;
• Постоянное и продолжительное использование высоких напряжений может привести к деградации памяти. Не опирайтесь на температуру модулей – это не показатель того, что всё хорошо;
• На используемой материнской плате MSI-GD80 для стабильной работы Prime95 на частотах выше 2000 МГц (применительно исключительно к Kingston HyperX) параметр B2B приходилось выставлять в значение 6. В свою очередь, подобное изменение крайне отрицательно сказывалось на производительности подсистемы памяти. Более конкретные результаты будут представлены в будущей статье.

Заключение

Сегодняшнее тестирование прекрасно продемонстрировало зависимость разгонного потенциала от ценника комплектов. Способности модулей памяти оказались далеки друг от друга.

Обычные Samsung’и, действительно (как мне и обещали), смогли покорить планку в 2 ГГц, но лишь при очень высоких задержках. Возможно, экземпляры из прошлой статьи могли показать аналогичные результаты, но, к сожалению, в тот раз самыми “расслабленными” таймингами оказались 9-ки. Несмотря на это, протестированные планки показали результаты (на всех сочетаниях таймингов) в среднем на 50-70 МГц выше. Поэтому при покупке будьте внимательнее и обращайте внимания на цвет текстолита, о котором я упомянул в описании модулей.

Комплект Corsair CMX4GX3M2A1600C7 оставил неоднозначные впечатления. С одной стороны, он показывает разгонный потенциал выше, чем у модулей Samsung. А кто-то ожидал другого? С другой – его возможности ниже ранее рассмотренных TR3X6G1600C7, а планка в 2 ГГц покоряется лишь при ослаблении таймингов до 9-10-9-27. Мягко скажем: “Результат не ахти какой”.

“Веселее” всего в этой компании смотрится набор от Kingston. На данный момент модули HyperX показали лучшие результаты по сравнению со всеми остальными протестированными комплектами (в лаборатории в целом). Чего только стоят максимально стабильные частоты при CAS Latency 6 и 7. Более двух гигагерц на CL7 – это вам не шутки!

Оснастив комплект HyperX микросхемами Elpida MGH-E Hyper, компания Kingston сразу обратила на себя внимание оверклокеров. Мощные алюминиевые радиаторы отлично справляются с возложенными на них обязательствами, оставаясь тёплыми даже при долговременном стресс-тесте с напряжением 1.95 В.

На последний вопрос: “А так ли нужны эти крутые комплекты?” – однозначного ответа нет. Закоренелые\маститые оверы уже давно всё-всё знают. А простые любители железок (не все, конечно) только догадываются. Поэтому в следующей статье я постараюсь осветить вопрос влияния частот и таймингов памяти на производительность системы. Ждите…

Выражаем благодарность компании Xpert за предоставленные комплектующие для тестового стенда.