Твердотельные накопители: итоги 2016 года
реклама
Оглавление
- Вступление
- Флеш-память
- «Безбуферные» контроллеры NAND
- Разочарование года
- Первые новинки 2017 года
- Заключение
Вступление
Как быстро летит время… Казалось бы, вот мы только что анализировали результаты 2015 года, а на дворе уже год 2017-й.
Прошедший год явил нам череду интересных событий. Состоялся выпуск 3D NAND всеми полупроводниковыми производителями: Micron, Intel, SK Hynix, Toshiba и WD (SanDisk). Завершился век SandForce. Intel впечатлила рынок в худшем понимании этого слова. Резкое развитие получил сегмент так называемых «безбуферных» контроллеров.
А значит, подошло время подвести очередные итоги.
реклама
Флеш-память
В 2015 году компания Micron выпустила на рынок свой первый за долгое время SSD на контроллере не от Marvell – внутри Crucial BX100 использовалась платформа Silicon Motion. Накопитель оказался одним из лучших в бюджетном сегменте.
Но его проблемой была память – ее себестоимость была не самой низкой, а потому Micron пошла на выпуск нового решения, тем более что она наконец смогла освоить промышленный выпуск TLC NAND с требуемыми для SSD характеристиками. В качестве контроллера снова было выбрано решение Silicon Motion. Результат сумел шокировать даже видавших виды опытных пользователей: Crucial BX200 за пределами небольшого SLC-буфера предлагал скорость записи данных на уровне 30 Мбайт/с с периодическими провалами до 5-7 Мбайт/с при простейшей нагрузке вроде копирования крупных файлов.
Но Micron все равно была в отстающих даже формально, без учета быстродействия: Samsung свои первые SSD на TLC NAND (Samsung 840 и Samsung 840 Evo) выпустила гораздо раньше. А в момент дебюта Crucial BX200 компания и вовсе массово поставляла твердотельные накопители на базе памяти уже с вертикальной компоновкой ячеек (3D V-NAND). Это отставание Micron сократила в 2016 году, представив свою 3D V-NAND. Именно это стало первым знаковым событием прошлого года.
реклама
К сожалению, праздник отчасти оказался испорчен – выпуск новой памяти был освоен в крайне ограниченных объемах. Причем даже сегодня, спустя год, эта проблема актуальна: в более-менее массовой продаже можно найти только четыре розничных модели SSD на этой памяти – ADATA Ultimate SU800, Crucial MX300, Intel 600p и Transcend SSD230.
При этом Transcend из обещанных трех модификаций в семействе SSD230 (128, 256 и 512 Гбайт) в итоге выпустила лишь одну, самую малообъемную на 128 Гбайт, а две других даже не вспоминаются в документации. Нужно ли отдельно обращать внимание на то, что ADATA, Intel и Transcend – первоочередные партнеры Micron и получают эксклюзивный доступ к новинкам?
В таких условиях про MLC 3D V-NAND и вовсе сначала были лишь разговоры, только недавно такая память появилась в каталоге Micron и случился предварительный анонс одного накопителя – ADATA Ultimate SU900. Впрочем, на самом деле эту память уже можно найти на рынке в розничных моделях SSD. Сохраним пока интригу, но скажу, что договоренность о тестировании такой новинки мною достигнута (и соответствующий образец уже находится в Москве) и это не упомянутый накопитель ADATA.
Одновременно с запуском в розницу 3D V-NAND случилось перераспределение долей между типами флеш-памяти: по итогам первого квартала 2016 года память TLC NAND заняла 55% рынка, MLC NAND перестала быть основным типом флеш-памяти.
Назвать это событие трагедией сложно: используемые на данный момент 15 нм (Toshiba, Western Digital) и 16 нм (IMFT, SK Hynix, Samsung) техпроцессы производства планарной NAND уже отлажены в достаточной мере, что дает очень хороший ресурс по циклам перезаписей. Помимо этого на рынок вышли контроллеры с новым алгоритмом коррекции ошибок LDCP. Итогом стало то, что современные модели SSD-накопителей с легкостью способны поспорить со старыми решениями на MLC NAND.
Как показывают независимые исследования энтузиастов и интернет-ресурсов, популярная 15 нм TLC NAND Toshiba в паре с LDCP-контроллером выдерживает от 3 (в самых дешевых) до 5 и более (в дорогих моделях) тысяч циклов перезаписи. 16 нм планарная TLC NAND Samsung (используемая, например, в Samsung 750 Evo) – и вовсе 4-5 тысяч. Для сравнения – 19 нм MLC NAND Toshiba, считавшаяся одним из самых лучших вариантов памяти MLC NAND, выдерживала 3-5 тысяч циклов перезаписи.
Из менее значительных событий стоит отметить позиции Samsung: они слегка пошатнулись.
Правда, горевать компании особенно не приходится из-за того, что на объемах выпуска это не сказалось: общий объем продаж SSD в 2016 году вырос примерно в полтора раза – точные оценки пока разнятся (2017-й год только начался и итоги еще не подводились).
Возможно, рост был бы еще более впечатляющим, но тут вмешалось третье знаковое событие 2016 года: дефицит флеш-памяти, который приобрел практически катастрофические масштабы для индустрии, вызвав резкий рост отпускной цены NAND в 2016 году (по предварительной оценке – не менее 30%). Возникла проблема не «кому продать», а «было бы что продавать». Причем очень наглядно: количество анонсируемых новинок буквально рухнуло.
У дефицита памяти две причины: рост спроса (причем тут повлияли еще смартфоны, планшеты и прочие мобильные устройства) и, как ни странно, выпуск 3D V-NAND. С первым понятно, со вторым тоже все очень просто. Для выпуска 3D V-NAND строятся новые производственные мощности, но они пока (как завод Toshiba и WD) в основном не введены в эксплуатацию. И выпускаемый ныне объем производится в уже существующих цехах после их глобальной модернизации. Модернизация требует времени и на этот срок производственные линии выводятся из оборота. Образно выражаясь, выпуск 3D V-NAND происходит «в долг – в счет невыпущенной планарной NAND.
Впрочем, компании активно наверстывают упущенное: в первых числах декабря Micron сообщила, что она только что запустила производство 64-слойной 3D V-NAND на Fab10X в Сингапуре. Свой вариант 64-слойной NAND в это же время начали выпускать Toshiba и Western Digital. В ближайшее время такую NAND начнет выпускать и Samsung, которая ранее обещала выпустить новые SSD на этой памяти в первой половине 2017 года. На фоне этого SK Hynix пока отстает: в конце ноября она смогла освоить промышленный выпуск лишь 48-слойной NAND, но представители SK Hynix обещают, что в этом году мы увидим 72-слойную NAND.
3D NAND открывает новые перспективы для рынка: не только рост плотности размещения информации в микросхемах памяти, но и сильное снижение себестоимости продукции. Достаточно привести лишь один пример: в прошедшую недавно «Черную пятницу» Micron продавала Crucial MX300 750 Гбайт в различных иностранных интернет-магазинах (в России, как обычно, все магазины дружно проигнорировали акцию) по цене $99-120. Это – вдвое ниже, чем прочие существующие предложения на обычной планарной NAND. А ведь Micron устраивала эту акцию явно не в убыток себе.
Вдобавок на днях рынок неожиданно всколыхнула информация: руководство Toshiba рассматривает вариант выделения своего полупроводникового производства в отдельную компанию и его продажу. Определенности пока нет. Но логика просматривается: Toshiba и Western Digital выпускают 3D V-NAND с собственным названием BiCS 3D NAND уже долгое время, но вся она идет на производство флешек, карт памяти и прочих устройств подобного класса. Некоторыми экспертами выдвигаются предположения, что качественные характеристики этой памяти просто не позволяют использовать ее в составе SSD. Мало того, представители WD недавно даже прямо заявили, что ранее лета 2017 года ничего подобного ожидать и не стоит. Хотя Toshiba считает все-таки иначе (о чем мы поговорим ниже).
реклама
Массовая 3D NAND – это пока будущее, хоть и близкое. А сегодня производители твердотельных накопителей вынуждены компенсировать рост цен на память реализацией ряда различных приемов удешевления своих моделей.
реклама
Страницы материала
Теги
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила