Обзор и тестирование пяти модулей оперативной памяти DDR4-2133 SK Hynix HMA451U6MFR8N0-TF объемом 4 Гбайт
реклама
Оглавление
- Вступление
- Обзор SK Hynix HMA451U6MFR8N0-TF
- Тестовый стенд
- Методика тестирования
- Тестирование разгонного потенциала
- Заключение
Вступление
После провального эксперимента с разгоном модулей памяти Geil GN44GB2133C15S, которые и в самом деле оказались для Geil способом реализации неудачных в плане частотного потенциала микросхем памяти, мы попробуем оценить возможности «небрендовых» модулей. Точнее, они выпущены под собственным брендом реального производителя DRAM – SK Hynix, но формально не предназначаются для розничных потребителей, хотя широко присутствуют в продаже. Как правило, SK Hynix, Samsung и Micron для выпуска таких модулей не применяют особые методы отбора наихудших микросхем, а потому они зачастую показывают хороший, если не отличный разгонный потенциал. Посмотрим, насколько повезет конкретно нам – с теми пятью модулями SK Hynix HMA451U6MFR8N0-TF, которые лаборатории предоставил наш постоянный партнер, компания Регард, взяв их со своего розничного склада. |
Исследуем разгонный потенциал бюджетной оперативной памяти: шесть модулей SK Hynix DDR3-1600 HMT451U6BFR8A объемом 4 Гбайт Оперативную память мы тестируем регулярно, но сложилось так, что в центре внимания оказывались лишь брендовые модули. А различные дешевые планки, способные продемонстрировать отменный разгонный потенциал, долгое время оставались вне прицела наших экспериментов. Этим материалом мы исправим данное упущение. |
реклама
Обзор SK Hynix HMA451U6MFR8N0-TF
Дизайн и особенности модулей памяти
Модули оперативной памяти SK Hynix HMA451U6MFR8N0-TF поставляются в «голом» виде, никакой упаковки не предусмотрено.
На этикетках присутствует набор различных обозначений, но мало информации для пользователя: упоминается только серия SK Hynix HMA451U6MFR8N0-TF, тип и эффективная частота работы модуля (PC4-2133). Не указано ни серийного номера, ни таймингов, ни напряжения.
реклама
Модули являются односторонними и одноранговыми (об этом, кстати, также говорится на этикетке – обозначение «1Rx8»).
Визуально можно насчитать восемь слоев металлизации.
Массив памяти набран микросхемами SK Hynix H5AN4G8NMFR-TFC, для краткости называемыми Hynix MFR.
Микросхемы DRAM этой серии лежат в основе целого ряда оверклокерских комплектов памяти (например, Kingston HyperX Predator DDR4-3000 и G.Skill Ripjaws4 DDR4-3000), а потому мы обоснованно можем надеяться на наличие хорошего частотного потенциала.
На данный момент Hynix MFR постепенно начинает вытесняться новой серией Hynix AFR (такие стоят, например, во втором поколении Kingston HyperX Predator DDR4, анонсированном полтора месяца назад), обладающей чуть лучшим частотным потенциалом и несколько отличной схемой таймингов.
В SPD модулей записаны профили только в стандартизированных JEDEC режимах работы: частоты до 2133 МГц и напряжение 1.20 В.
Если верить указанным о дате производстве данным – 52 неделя 2015 года, то модули были собраны аккурат перед новогодними праздниками 2015-2016 – семь месяцев назад.
Согласно данным в SPD, тестируемые модули изначально рассчитаны на работу в режиме с эффективной частотой 2133 МГц, при напряжении 1.2 В и таймингах 15-15-15-36-50 – привычные характеристики модуля DDR4 начального уровня. Температурный мониторинг отсутствует.
реклама
В довершение осмотра – дамп содержимого микросхемы SPD (снято посредством Thaiphoon Burner).
реклама
Страницы материала
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила