Обзор и тестирование SSD 250-256 Гбайт: Toshiba THNSNJ256GCSU и Samsung 850 EVO (страница 7)
реклама
Проверка скоростных характеристик на заполненном носителе
С помощью CrystalDiskMark (64bit) 3.0.1 в режиме случайных данных производится замер производительности четыре раза:
- Изначальное состояние нового накопителя («нулевое» состояние);
- После проведения всего цикла тестов происходит заполнение диска пользовательскими данными из предыдущего раздела статьи (с файлами word, фотоснимками, аудио- и видеозаписями), таким образом, чтобы суммарный объем записанных данных был не менее трехкратного общего объема накопителя;
- Тридцатиминутный простой, в течение которого не производится каких-либо операций с SSD – для работы фоновых функций накопителя по уборке «мусора»;
- Выполнение команды TRIM силами операционной системы.
В заключение запускается Disk Benchmark из состава AIDA64 (режим «Write», размер блока установлен равным 1 Мбайт) – данный тест производит линейную запись всего объема носителя, попутно выводя информацию о процессе записи в виде удобного графика.
Toshiba THNSNJ256GCSU 256 Гбайт
реклама
Вот он, тот самый режим ускоренной записи на половину свободного объема. И поскольку в данном тесте весь накопитель считается пустым, то переключение происходит на середине объема. Точнее – чуть больше. Скорее всего, инженеры Toshiba посредством микропрограммы стали задействовать еще и часть резервной области.
Samsung 850 EVO 250 Гбайт (MZ-75E250BW)
После интенсивной нагрузки скоростные показатели резко проседают, но затем после простоя все приходит в норму – алгоритмы «сборки мусора» работают безукоризненно.
И снова режим ускоренной записи. Но уже на меньшем объеме (в данном случае – 3 Гбайта).
Уровень энергопотребления накопителей
реклама
Процесс тестирования происходит в четырех ситуациях:
- В «нулевом» состоянии;
- Запущен тест диска в AIDA64 в режиме линейного чтения всего накопителя;
- Запущен тест диска в AIDA64 в режиме линейной записи всего накопителя;
- Первая минута после завершения теста AIDA64 на линейную запись (как показывает практика, некоторые накопители после завершения теста в течение небольшого промежутка времени продолжают фоновые операции по «сборке мусора»).
Прошу обратить внимание: тестируются линейные чтение и запись. В реальности на практике операции чтения и записи весьма редко бывают линейными, поэтому потребление будет «скакать» в промежутках «чтение – поиск данных – запись». Но в целом соотношение между накопителями по уровню энергопотребления останется практически неизменным. Поэтому на показатели, приведенные в таблице, вполне можно ориентироваться.
Но не следует забывать про скоростные характеристики: накопитель A с скоростью 40 Мбайт/с на записи одного мегабайта данных при энергопотреблении 1 Ватт является более экономичным, чем накопитель Б при скорости 30 Мбайт/с и 0.9 Ватт.
Меньше – лучше
Включите JavaScript, чтобы видеть графики
Меньше – лучше
Включите JavaScript, чтобы видеть графики
Меньше – лучше
Включите JavaScript, чтобы видеть графики
Меньше – лучше
Включите JavaScript, чтобы видеть графики
Обратил на себя внимание и один неприятный симптом: свист изнутри Samsung 850 EVO. Скорее всего, это особенность конкретного экземпляра, попавшего на тестирование, но, тем не менее, факт: накопитель под интенсивными нагрузками (причем как на чтение, так и на запись) выдавал свое присутствие посторонними звуковыми эффектами. Но данная проблема заметна именно здесь, в обычных тестах вроде PCMark7 или Crystal Disk Mark ничего подобного не наблюдалось.
Заключение
Все мысли насчет рассмотренного SSD Toshiba укладываются аккурат в один абзац: накопитель быстр на линейных операциях, но уступает флагманам на мелких блоках. Отличия от HG5d (он же Q-Series, он же Q-Series Pro, он же .....EZSWA, он же .....EZSTA, он же .....THNSNH) отсутствуют: та же платформа Marvell, та же флеш-память. Сколько же еще можно плодить клонов, имитируя широкий ассортимент?
Флеш-накопитель – удовольствие изначально не из дешевых. А виной тому – сам принцип хранения данных. Изначально проблему решали все более тонкими техпроцессами, вслед за этим – начали играть с количеством данных, хранимых в одной ячейке (SLC, MLC, TLC). Но вот проблема: чем тоньше техпроцесс, тем хуже удерживается заряд и тем сильнее падает качество хранения данных. Да и само литографическое оборудование дорожает с уменьшением техпроцесса.
Фактически сейчас мы наблюдаем достижение предела привычных для нас инженерных решений – техпроцесс «утончать» уже особо некуда. И «шагнуть в сторону» не получится: QLC (Quad Level Cell; четырехбитная MLC NAND) даже на более «крупных» техпроцессах работает ненадежно (благо инженерные образцы уже давно существуют). Таким образом, уплотнять кристаллы памяти для получения большего объема при меньшей стоимости уже некуда, ни логически, ни физически.
Спасением на нынешнем этапе должна стать 3D V-NAND, с иным внутренним строением. И работоспособными образцами такой памяти обладают уже все производители – IMFT (объединение Micron и Intel), консорциум Toshiba и SanDisk, Samsung (разве что о Hynix ничего не слышно). Но первой вырваться на рынок смогла именно Samsung, именно ей достанутся и все «сливки» (ведь такая память стоит дешевле), и в то же время – все «шишки» (отладка микропрограмм, техпроцесса и прочего).
И пока что Samsung удается удерживать знамя лидера, хотя и ценой ряда жертв в виде обладателей накопителей линейки 840 EVO. Мало того, компания пошла на весьма серьезные репутационные риски, запустив первой в серию линейку моделей 850 Pro, которые являются флагманами компании, а не что-то более скромное. И пока что эти риски оправдываются: по всем тестам, в том числе, и на износ, 850 Pro демонстрируют отличные показатели производительности (хотя и не сильно превышающие оные у 840 Pro) и надежности.
Следующим логическим шагом, разумеется, должен быть выпуск младшей модели, с более демократичным ценником. Как это теперь заведено у Samsung – на TLC NAND, а в данном случае – 3D TLC V-NAND. Аббревиатура «TLC» пугает многих – считается, что такая память менее надежна. Оно действительно так, но ведь и техпроцесс, примененный производителем на данном этапе, отнюдь не самый «тонкий», поэтому ресурс все же должен быть на достойном уровне. А в качестве бонуса выступает тот факт, что инженеры компании пошли на своеобразные оптимизации прошивки, дополнительно повышающие быстродействие, в первую очередь – в различных тестах.
реклама
Путем достаточно нехитрого приема мы смогли обойти эти оптимизации и увидеть цифры, более близкие к реальности. Пусть даже и в одном лишь тесте (внести правки в остальные мы не можем, а где-то это просто и не нужно, например, в копировании файлов). Тем не менее, даже такие значения являются весьма достойными и позволяют считать Samsung 850 EVO одним из самых быстрых на сегодняшний день накопителей с интерфейсом SATA 6 Гбит/с. Актуальным остается лишь вопрос стабильности – чтобы не повторилась ситуация, произошедшая с 840 EVO.
Выражаем благодарность:
- Компании Регард за предоставленные на тестирование накопители Samsung 850 EVO и Toshiba THNSNJ256GCSU.
- Автор выражает благодарность за правку исходных кодов программного приложения Crystal Disk Mark энтузиасту, пожелавшему остаться неназванным.
реклама
Страницы материала
Теги
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила