Разгон бюджетных модулей памяти Hynix и Samsung объемом 4 Гбайта

Оглавление

• Вступление
• Характеристики
• Упаковка и внешний вид
• Тестовый стенд и ПО
• Методика тестирования
• Результаты разгона
• Заключение

Вступление

Наиболее востребованными на рынке оперативной памяти были и остаются бюджетные планки. И не только потому, что для сборки большинства компьютеров используются компоненты среднего ценового уровня, в который высокочастотная память просто не вписывается ни по цене, ни по характеристикам. Из-за ограничений, накладываемых контроллером памяти в ЦП или северном мосту, для разгона DDR3 до частот выше 2000-2200 МГц подойдет далеко не каждый процессор и материнская плата. На данный момент выбор платформы для работы такой памяти ограничен всего пятью вариантами:

• Socket AM3+ (AMD Bulldozer);
• Socket FM1 (AMD Llano);
• Socket 1156 (Core i7-8xx Lynnfield);
• Socket 2011 (Sandy Bridge-E);
• Socket 1366 (Core i7-9xx Gulftown).

Возможно, очень скоро к этому списку добавятся Ivy Bridge, при условии, что для них окажутся работоспособными множители для частоты памяти выше 1:8.

Но главная причина выбора в пользу бюджетной памяти в том, что даже при сборке более-менее мощной конфигурации предпочтительнее выделить больше средств на видеокарту, процессор или даже SSD-накопитель.

Значительное снижение цен на оперативную память привело к смещению спроса в сторону модулей по 4 гигабайта. На данный момент разница в цене между топовой и бюджетной памятью такого объема может отличаться в несколько раз – от $40 за пару модулей по 4 Гбайта с номиналом 1333 МГц до $499 за комплект Corsair Dominator GTX8, работающий на частоте 2400 МГц.

Сократить и без того несущественную разницу между дорогой и дешевой памятью (что сказывается на производительности компьютера в целом) можно при помощи разгона и выбора модулей, построенных с использованием «правильных» микросхем. Вероятность того, что среди дешевой памяти вам попадется та, что сможет работать на 2400 МГц с таймингами 9-11-11-28 (особенно в конфигурации из четырех модулей общим объемом 16 гигабайт), очень невысока. Но, тем не менее, в большинстве случаев смело можно рассчитывать на разгон до стандартной (для массовой ныне платформы Sandy Bridge) частоты 2133 МГц.

Недавно в лаборатории уже было протестировано несколько комплектов недорогой памяти разных производителей. Но, к сожалению, среди доступных на тот момент модулей не удалось найти Hynix и Samsung, хорошо известных участникам нашего форума благодаря своему отличному разгонному потенциалу. Поэтому было решено провести еще одно тестирование, включив в него планки этих производителей. Из него вы узнаете о разгоне оригинальных планок памяти Samsung на микросхемах K4B2G0846C-HCH9, K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846D-HCK0 и Hynix на микросхемах H5TQ2G83CFR-H9C, а также о том, как они реагируют на различные сочетания таймингов и повышение напряжения.

Характеристики

Характеристики модулей памяти перечислены в таблице:

Упаковка и внешний вид

Все протестированные модули поставлялись в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации. Экономия на упаковке – один из способов уменьшить конечную розничную цену для покупателя. Даже если изначально производителем памяти и были предусмотрены какие-то пластиковые коробочки, то от них вполне могли избавиться, чтобы сократить затраты на логистику. Ничего страшного в этом нет, но стоит знать, что при таком способе транспортировки часть модулей приезжает «битыми». Поэтому при получении их в магазине необходим внимательный осмотр на отсутствие повреждений. Также не лишним будет взять с собой в магазин упаковку от какой-либо другой памяти, чтобы не повредить только что купленную по дороге домой.

Кстати, одна из взятых на тестирование планок оказалась со сколотыми элементами, и было потрачено дополнительное время на её замену.

Начнем обзор с модулей Hynix, интересных, прежде всего тем, что на данный момент микросхемы именно этого производителя используются в большинстве дорогих высокочастотных комплектов памяти, состоящих из планок объемом 4 Гбайта.

Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)

Модуль памяти производства Hynix выполнен на печатной плате синего цвета. Объем - 4096 Мбайт, он набран шестнадцатью микросхемами с плотностью два гигабита, которые установлены по восемь с каждой стороны.

На наклейке приведена маркировка планки (part number) HMT351U6CFR-H9, её объем, номинальная частота и неделя производства (38 неделя 2011 года):

Компания Hynix является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов, поэтому для модулей памяти использует микросхемы собственного производства.

В данном случае это микросхемы DDR3 памяти Hynix H5TQ2G83CFR-H9C, выпущенные на 35 неделе 2011 года. Они рассчитаны на работу с частотой 1333 МГц, таймингами 9-9-9 и напряжением 1.50 В. Документацию к ним в формате PDF можно скачать с сайта производителя (218 Кбайт).

Микросхема SPD:

Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: hynix_hmt351u6cfr-h9.spd.

Модуль основан на PCB ST-104B:

По надписи «Hynix Korea» на печатной плате можно было бы предположить, что она сделана на заводе Hynix в Корее, но это не так. Как вы увидите чуть ниже, некоторые разновидности модулей памяти Samsung тоже используют плату ST-104B со схожим дизайном, но с надписью «Samsung». Вероятно, и Samsung, и Hynix заказывают изготовление PCB для своих модулей памяти у одного и того же стороннего производителя, а далее уже получают их с отличающимися маркировками. А затем на собственных заводах в Корее собирают модуль, устанавливая на него свои микросхемы.

Переходим к обзору памяти Samsung и начнем с самой дешевой модели:

Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)

Компания Samsung использует зеленый цвет для своих модулей. Плотность микросхем стандартная (2 Гбит), поэтому их количество и размещение не отличается от других планок объемом 4 Гбайта.

Наклейка на модуле по форме и набору информации на ней такая же, как и у Hynix. Приводится маркировка M378B5273CH0-CH9, объем модуля, номинальная частота и неделя производства (51 неделя 2011 года):

Компания Samsung (аналогично Hynix) является производителем микросхем памяти и использует их для изготовления собственной продукции.

Микросхемы SEC K4B2G0846C-HCH9 выпущены на 49 неделе 2011 года. Штатные характеристики стандартные – частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя (1643 Кбайт).

Микросхема SPD:

Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846c-hch9.spd.

Используется PCB с маркировкой ST-104B, как и у модулей Hynix, но с отличающимся дизайном:

Следующие две разновидности модулей памяти Samsung незначительно дороже уже рассмотренных выше, но зато они и рассчитаны на чуть более высокую частоту 1600 МГц.