Изучение частотного потенциала памяти DDR3 Exceleram (страница 2)
реклама
Изучение частотного потенциала
ELV001A 2*2 Гбайт DDR3-1333 (7-7-7-21, 1,35 В)
Из-за интересных и непривычных штатных характеристик было решено исследовать этот комплект в первую очередь.
Профиля XMP нет, зато SPD профилей сразу пять штук, причём взглянув на частоты и тайминги последних двух, можно подумать, что речь идёт о памяти DDR2. Также удивляет сравнительно низкое значение субтайминга TRFC, раньше память DDR3 была склонна к сильному его завышению. Соответственно, единственное место, где указаны характеристики памяти – наклейка на радиаторе, значения таймингов 7-7-7-21 и напряжение 1,35 В устанавливаются вручную.
реклама
Эхх, снимать радиаторы нельзя, поиск «рамлиста» в интернете ничего не дал, как и запрос «рамлиста» в техподдержке производителя. Пришлось тестировать всё «с нуля», то есть с ровных сочетаний таймингов, чтобы получить точку отсчёта.
При штатном напряжении питания в 1,35 В и штатных же таймингах 7-7-7-21 полученный результат более чем на 100 МГц превышает номинальное значение в 1333 МГц, неплохой запас, тем более для такого непривычного режима работы. Однако уже после 1,45 В и так медленный рост частотного потенциала замедляется ещё сильнее, сходя на нет уже при 1,5 В. А при напряжении питания 1,55 В+ частотный потенциал только падает.
При переходе на задержки формата 8-8-8 можно наблюдать прирост частотного потенциала почти в 200 МГц при равном напряжении питания. В целом, поведение планок памяти практически не отличается от оного в режиме 7-7-7.
Ничего неожиданного при переходе на тайминги 9-9-9 не ожидалось, тем не менее память удивила своим поведением, откликаясь увеличением частот на рост напряжения питания до 1,5 В, при этом без снижения стабильных частот при дальнейшем увеличении напряжения питания вплоть до 1,65 В. Итого, лучший результат при 9-9-9 выше лучшего результата при 8-8-8 на целых 252 МГц, и на 455 МГц выше, чем результат при штатных 7-7-7. Отмечу, что покорилась психологически важная отметка в 2 ГГц.
Переход на задержки 10-10-10 удивил ещё больше. В таком режиме рост частотного потенциала при увеличении напряжения питания наблюдался вплоть до отметки 1,6 В, получается, что в зависимости от таймингов реакция на изменение напряжения питания разная. Ну, и очередной «скачок» частот не может не радовать.
Поведение памяти на «ровных» сочетаниях таймингов удивило и навело на мысли о поиске оптимальных настроек для раскрытия потенциала. Круг поиска для высокочастотной памяти, способной работать при низких напряжениях питания, невелик, и, как правило, ограничивается микросхемами производства Elpida и Powerchip. Условно говоря, распространённые ныне микросхемы Elpida тяготеют к Trcd=Cas+2, а Powerchip к Trcd=Cas+3.
И действительно, при поднятии значения trcd над cas и trp память начала вести себя совершенно по-другому, показывая гораздо более интересные результаты. Максимальные частоты достигаются при увеличении trcd на три единицы, поэтому, рискну предположить, что данный комплект памяти основан на микросхемах PCS. График для «неровных» таймингов:
реклама
Можно отметить, что на «родных» для микросхем таймингах память показала более лучшие результаты, при этом отзываясь на увеличение напряжения питания и до отметки в 1,7 В, что по сравнению с предыдущими результатами удивляет. Попыток поднять напряжение питания ещё выше не предпринималось, ибо комплект всё же со штатным напряжением питания 1,35 В, мало ли какая производится селекция микросхем, и что с ними может случиться в настолько нештатных режимах.
Интересна ситуация с таймингами формата 7-10-7 и 8-11-8, ибо в первом варианте память разгоняется лучше, чем во втором на низких напряжениях, но уступает на высоких. Вообще, режим 8-11-8 наиболее чувствителен к напряжению питания, а режим 7-10-7 - наименее.
Максимальная достигнутая частота в итоге оказалась на гигагерц выше штатной и составила 2334 МГц при сочетании таймингов 9-12-9-30. Хороший результат, но не такой уж и высокий для памяти на Powerchip. Среди исследуемых комплектов памяти этот – самый дорогой и стоит $70, тем интересней будет узнать, есть ли у него преимущества над остальными.
Перейдём к следующему комплекту.
EB3120B 2*2 Гбайт DDR3-1600 (7-8-7-24, 1,65 В)
Внешне данный комплект отличается от предыдущего только цветом радиаторов и этикеткой, на которой указаны другие штатные характеристики.
Помимо обычных SPD профилей, в которых хранятся заведомо безопасные настройки, в память «зашито» два XMP профиля. Один из них – с настройками, указанными в характеристиках модуля, и второй – с более агрессивными задержками, но при этом и с меньшей тактовой частотой. Для обоих XMP профилей устанавливается напряжение питания 1,65 В.
Памятуя о результатах разгона предыдущего комплекта памяти и о приблизительно-одинаковом поведении большинства планок во время «претеста», было решено сразу перейти к поиску оптимальных настроек, минуя изучение не сильно интересного режима с «ровными» таймингами. И да, очередной раз максимальные частоты достигались при завышении trcd на три единицы относительно cas и trp. Хотя на напряжениях до 1,6 В поведение памяти при trcd=cas+2 и trcd=cas+3 было идентичным, поэтому однозначно сказать о производителе микросхем сложно. Но, так как последний вариант показывал всё же больший разгон, полное исследование проводилось для значения +3.
Как и предыдущий комплект, на «родных» для микросхем задержках память является голодной до напряжений питания, особенно это проявляется при значениях таймингов 6-9-6 и 8-11-8, в случае которых рост частотного потенциала практически линейный и по достижении отметки в 1,75 В. Несмотря на высокое напряжение отмечу, что памяти покорились значения в 2000 МГц для Cas 6 и 2200 МГц для Cas 7, что весьма неплохо.
Оптимальным вариантом задержек я бы назвал формулу 7-10-7, ибо от CL8 таймингов пользы в частотном потенциале почти нет, а частоты, достигнутые при CL9 мало какой платформе доступны. Разве что можно рассматривать эти результаты как возможность использования низкого напряжения питания вкупе с высокими частотами.
Максимально достигнутая частота составила 2430 МГц при задержках 9-12-9-30 и напряжении 1,75 В. На 100 МГц выше, чем у ELV001A, хотя, такие результаты представляют собой скорее спортивный интерес, чем реальную надобность, ибо получить их можно только на процессорах Core I7 (1156) за редким исключением. В целом эта память показала лучшую «прыть» к разгону практически при всех соотношениях таймингов и напряжений питания. С учётом стоимости памяти в $50 - весьма приятный итог.
реклама
EB3100A 2*2 Гбайт DDR3-1600 (6-9-8-24, 1,65 В)
Внешним видом комплект явно не выделяется среди остальных. Если только опять не упомянуть о цвете. Прямо-таки цветная дифференциация памяти.
Помимо обычных SPD профилей, в которых хранятся заведомо безопасные настройки в память «зашит» и один XMP. В него вписаны штатные характеристики памяти: частота в 1600 МГц, тайминги 6-9-8-24 и напряжение питания 1,65 В. Что примечательно, в SPD хранятся ровно те же значения частот/таймингов и даже субтаймингов как и у предыдущего комплекта. Можно сделать заключение, что внутри это практически та же самая память. Ну, немудрено, производитель же один.
Переходя к разгону, первым делом уже был испытан заранее заготовленный профиль BIOS’а, сохранённый на базе результатов двух предыдущих комплектов памяти. 1900 МГц, 6-9-6-24, 1,65 В, одиночный гудок спикера и старт системы, прохождение теста стабильности. Переключение таймингов в значение 6-8-6 – зависание при прохождении POST. Судя по всему, опять Powerchip и любовь к trcd=cas+3…
Исходя из полученных результатов разгона, можно судить о том, что по поведению данный комплект больше похож на ELV001A, чем на предыдущий EB3120B, очередной раз при напряжении питания 1,5 В частотный потенциал памяти с таймингами 7-10-7 выше, чем с таймингами 8-11-8, и опять можно наблюдать пересечение линий этих графиков, на сей раз уже при более низком напряжения питания, где-то между 1,5 В и 1,55 В. Наиболее активный отклик на повышение напряжения очередной раз наблюдается при сочетаниях задержек 6-9-6 и 8-10-8, при этом только с таймингами 8-10-8 можно видеть линейный рост во всём диапазоне используемых в тесте напряжений, то есть вплоть до 1,75 В.
Максимально достигнутая частота составила 2370 МГц при задержках 9-12-9-30 и напряжении 1,75 В. Это выше, чем у ELV001A, но ниже, чем у EB3120B. Да и в остальных режимах данный комплект находится где-то посередине между двумя первыми, разница в результатах не принципиальна, и, скорее всего, зависит от удачности конкретно взятого комплекта.
EB3102A 2*2 Гбайт DDR3-1600 (6-8-7-24, 1,65 В)
Цветовая гамма, используемая производителем, закончилась, и данная память внешне в точности повторяет предыдущий комплект. Отличить их можно только по штатным характеристикам и по маркировке, указанной на небольшой этикетке.
Хранящиеся в SPD профили частот/таймингов/субтаймингов целиком повторяют оные у двух предыдущих комплектов памяти. Действительно, такой подход производителю выгоден с точки зрения отсутствия лишних трудозатрат при производстве, да и наличие в SPD идентичных субтаймингов, по идее, должно помочь избежать проблем совместимости при использовании разных комплектов в одной системе. Также присутствует XMP профиль, в котором прописаны штатные характеристики памяти, а именно – частота 1600 МГц и значение задержек 6-8-7-24 при напряжении питания 1,65 В.
При изучении поведения разгона повторилась ситуация, рассматриваемая у комплекта EB3120B, на напряжениях до 1,6 В поведение памяти при trcd=cas+2 и trcd=cas+3 было идентичным, а при дальнейшем повышении напряжения рост частотного потенциала наблюдался только при trcd=cas+3.
Как и EB3120B, на «родных» для микросхем задержках память резво отзывается на повышение напряжения питания ростом частот. Особенно сие заметно при конфигурациях таймингов 6-9-6 и 8-11-8, в случае применения которых рост частотного потенциала, как и у EB3120B, практически линейный и по достижении отметки в 1,75 В, и наверняка продолжился бы дальше. По аналогии просматривается и близость результатов, достигнутых при задержках 7-10-7 и 8-11-8, из-за чего смысла в применении последних мало.
Если смотреть на результаты относительно других представителей линейки, то они весьма слабые, видимо с комплектом не повезло, хотя после «претеста» можно было надеяться хотя бы на то, что комплект будет сильнее, чем ELV001A.
реклама
Страницы материала
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила