Изучение разгонного потенциала трёх разнокалиберных комплектов памяти DDR3 (страница 2)
реклама
Тестовая конфигурация
Для тестирования был использован открытый стенд со следующей конфигурацией:
- Процессор - Intel Core i7-860 (Lynnfield);
- Система охлаждения –Cooler Master Hyper 212 Plus;
- Термопаста - Arctic Silver 5;
- Материнская плата - MSI P55-GD80, Intel P55, BIOS 1.7;
- Память №1 - Samsung M378B5673FH0-CH9, 2x2048 Мб DDR3-1333 МГц;
- Память №2 - Corsair CMX4GX3M2A1600C7, 2x2048 Мб DDR3-1600 МГц;
- Память №3 – Kingston HyperX KHX2000C8D3T1K2/4GX, 2x2048 Мб DDR3-2000 МГц;
- Дополнительный вентилятор - Scythe Kama-Flex 1600 RPM;
- Видеокарта - Sapphire Radeon HD3450 512 Мб GDDR2 PCI-E;
- Жёсткий диск - Seagate ST3500418AS 7200.12, 500 Гб;
- Блок питания - Cooler Master RS-A00-ESBA 1000 Вт.
Методика тестирования
Для проверки на разгон была выбрана платформа на последнем наборе логики Intel - P55. Такой выбор обусловлен более низкими частотами Uncore блока по сравнению с X58, что в свою очередь позволяет поднять планку разгона оперативной памяти до больших высот.
Платформа AMD не использовалась также из-за соображений о максимальном разгоне. В любом случае - мы проверяем оперативную память, и, чтобы выжать из неё все "соки", платформа на LGA1156 подходит, пока что наилучшим образом.
реклама
Тестирование стабильности происходило с помощью всем известной программы Prime95. Она довольно сильно нагружает систему, и иногда при частотах, на которых наблюдается нестабильность, возможна работа без ошибок во многих других приложениях (игры, бенчмарки и т.д). Работа, конечно, возможна, но как долго? Профессиональные бенчеры, я думаю, могут прибавить около 30-50 МГц к тем результатам, которые будут отражены в таблице. При этом прохождение многих тестов должно проходить без сбоев и их последствий.
Игнорирование DOS-утилиты MemTest86+ связано с тем, что я стараюсь находить те частоты, при которых система будет стабильно работать 24 часа в сутки 7 дней в неделю, а не просто проходить определённый бенчмарк. При успешном прохождении Prime95 в режиме Blend в течение 30 минут выставленная частота определялась как стабильная и заносилась в таблицу.
Для раскрытия потенциала памяти до частот 2200 МГц применялось напряжение VTT от 1.32 В до 1.37 В (в зависимости от напряжения и частоты памяти). После преодоления данного частотного барьера для дальнейшего увеличения частоты памяти значение VTT Voltage принимало значение 1.45 В.
Для частот памяти ниже 2000 МГц тайминг B2B-CAS Delay устанавливался в положение 0, а выше этой частоты - 6. Значение Command Rate всегда принимало положение - 1T. В случае с сегодняшними комплектами напряжение DRAM составляло от безопасных 1.45 В до 1.95 В с шагом 0.1 В, при этом используемый диапазон напрямую зависел от установленных микросхем.
На пониженном (1.45-1.55 В) напряжении никакого дополнительного охлаждения не использовалось. Начиная с 1.65 В, в целях безопасности (а так же невозможности перегрева), напротив модулей памяти устанавливался 120-мм вентилятор Scythe Kama-Flex с 1600 об\мин.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
реклама
Реальное напряжение, подаваемое на память, измерялось с помощью мультиметра Mastech DT9208A. Среднее отклонение от значений, заданных в BIOS, составило 0,0069 В.
В сегодняшнем тестировании принимал участие процессор Intel Core i7 860. При понижении множителя CPU до 17х он обладает 100%-ой стабильностью в тесте LinX 0.6.4 при 205 МГц базовой частоты (BCLK). Вкупе с максимальным множителем DRAM - 6х (12x) это позволяет покорять частоты памяти вплоть до 2460 МГц. Найденные частоты BCLK не являются максимальными, и в том случае, когда в мои руки попадёт оперативная память, которая будет упираться в названную выше границу, эксперименты будут продолжены.
В ходе тестирования множитель DRAM лежал в пределах 4-6x, конкретные значения выбирались в зависимости от частоты памяти. Во всех случаях модули памяти были установлены в двухканальный режим, соответственно использовалось 2 модуля.
Результаты разгона
Диапазон напряжения для модулей Samsung был определён исходя из результатов, полученных в ходе прошлых тестирований модулей Transcend и Samsung на чипах SEC HCH9, и составил 1.45-1.85 В.
Температурный режим во всём диапазоне оставался в допустимых пределах. Ожогов автор не получил даже без использования обдува при напряжении 1.85 В после 30-тиминутного прогона Prime95.
Результаты разгона представлены ниже:
- Модули способны работать во всём диапазоне используемых напряжений;
- Практическое отсутствие роста частот при поднятии напряжения;
- При тестировании памяти с помощью Prime95 микросхемы памяти оставались еле тёплыми во всём диапазоне используемых напряжений (при условии доп.обдува);
- Крайне низкие результаты при использовании таймингов вида: 6-6-6-18 и 7-7-7-20;
- Каждая ступень ослабления задержек добавляет в среднем по 200 МГц в независимости от используемого напряжения;
- В целом, необходимость использования напряжения выше 1.65 В отсутствует. Дополнительные 10-20 МГц не стоят вероятной будущей деградации от использования высокого напряжения;
- Возможность работы модулей на частотах ~2000 МГц при таймингах вида: 10-10-10-30;
- Из неуказанных данных в графике можно отметить стабильную работу памяти на частоте 2025 МГц, напряжении 1.755 В и таймингах 9-10-10-27-98-1T
- Общий разгонный потенциал выше, чем у протестированных ранее модулей Transcend и Samsung на аналогичных микросхемах.
Для планок Corsair диапазон был определён теми же пределами. Сей выбор подтверждали и результаты разгона трёхканального комплекта Corsair, побывавшего у нас в лаборатории несколько месяцев назад.
За счёт неровных задержек по техническим характеристикам (7-8-7-20) модули были протестированы с дополнительными сочетаниями таймингов, в которых значение tRCD повышалось на единицу относительно tCL и tRP
Температурный режим протестированных модулей не вызывает беспокойства при использовании любого из напряжений. Модули остаются тёплыми.
Разгонный потенциал оказался следующим:
- Максимальная частота при заявленных в ТХ таймингах и напряжении более чем на 100 МГц выше относительно номинально указанного значения;
- Увеличение значения задержки tRCD крайне положительно влияет на рост тактовой частоты памяти;
- Практическое отсутствие отклика на поднятие напряжения при ровных задержках (прим: 6-6-6-18, 7-7-7-20 и т.д);
- Потеря разгонного потенциала при переходе границы напряжения в 1.56 В в семи из восьми случаев;
- Очень низкие результаты при значении tRCD – 6 и 7.
- При напряжениях выше 1.65 В оперативная память очень резко теряла значения стабильных частот;
- Возникает чувство, что компания Corsair тестирует модули лишь на одном сочетании таймингов (7-8-7-20). Именно на нём повышение напряжения до указанных в технических характеристиках 1.65 В дало небольшой прирост тактовой частоты;
- Высокие результаты при номинальном напряжении с таймингами 9-9-9-27.
- Возможность работы памяти при низком напряжении в 1.45 В с достаточной для большинства тактовой частотой.
- Резкий прирост частоты (до 2166 МГц) при таймингах 9-10-9-27 с напряжением DRAM 1.56 В.
C модулями Kingston HyperX всё оказалось куда интереснее. Микросхемы Elpida MGH-E Hyper отлично отзываются на поднятие напряжения, поэтому его диапазон составил от 1.56 В до 1.95 В.
реклама
Кроме того, при использовании модулей памяти, “построенных” на Elpida Hyper, рекомендуется поднимать тайминг tRCD, как я это и сделал при тестировании планок Corsair. Позволю себе процитировать моего коллегу по “цеху” SAV’а: «Несмотря на то, что данная память по умолчанию имеет "ровные" первичные тайминги (8-8-8), она не была с ними протестирована. Для чипов Elpida Hyper на низких напряжениях (до 1.75V) тайминг RAS# Precharge (tRP) можно понижать на единицу относительно CAS Latency (tCL) и RAS# to CAS# Delay (tRCD), а на высоких (выше 1.75V) - tRCD следует повышать на единицу относительно tCL и tRP.»
Второй совет я сразу взял на заметку (как уже указано выше), а с первым решил расстаться в пользу тех самых “ровных” таймингов. Сделано это в первую очередь для более наглядного сравнения комплектов между собой.
В ходе тестирования массивная система охлаждения оправдала себя на все 100%. Модули оставались теплыми без обдува даже при напряжении в 1.95 В. Насколько это безопасно – я не знаю. А посему повторять такие эксперименты на большом временном отрезке не рекомендую.
В итоге – полученные результаты:
- Очень серьёзный прирост частот при изменении напряжения на рабочих таймингах: 6-6-6-18, 6-7-6-20, 7-7-7-20, 7-8-7-20;
- Высокие результаты при напряжении 1,755 В на всех протестированных сочетаниях задержек;
- Возможность работы во всём диапазоне выбранных напряжений;
- Заявленные технические характеристики практически полностью соответствуют возможностям памяти: при напряжении в 1.65 В и таймингах 7-8-7-20-1T стабильная частота составила 2015 МГц;
- Феноменальные результаты, полученные при таймингах 6-6-6-18 и 6-7-6-20;
- Память “раскрывается”, начиная с напряжений 1.755-1.845 В;
- Начиная с CL8 максимально стабильная частота (LinX, Prime95) “зависает” на значении 2262 МГц уже при 1.845 В. Бубен не помог (читай: 2 часа перебора различных параметров)… увы. Но учтите – 3Dmark’и и прочая “нечисть” работают на частотах вплоть до 2350 МГц, больше просто не пробовал;
- Увеличение значения задержки tRCD крайне положительно влияет на рост тактовой частоты памяти;
- Постоянное и продолжительное использование высоких напряжений может привести к деградации памяти. Не опирайтесь на температуру модулей – это не показатель того, что всё хорошо;
- На используемой материнской плате MSI-GD80 для стабильной работы Prime95 на частотах выше 2000 МГц (применительно исключительно к Kingston HyperX) параметр B2B приходилось выставлять в значение 6. В свою очередь, подобное изменение крайне отрицательно сказывалось на производительности подсистемы памяти. Более конкретные результаты будут представлены в будущей статье.
Заключение
Сегодняшнее тестирование прекрасно продемонстрировало зависимость разгонного потенциала от ценника комплектов. Способности модулей памяти оказались далеки друг от друга.
Обычные Samsung’и, действительно (как мне и обещали), смогли покорить планку в 2 ГГц, но лишь при очень высоких задержках. Возможно, экземпляры из прошлой статьи могли показать аналогичные результаты, но, к сожалению, в тот раз самыми “расслабленными” таймингами оказались 9-ки. Несмотря на это, протестированные планки показали результаты (на всех сочетаниях таймингов) в среднем на 50-70 МГц выше. Поэтому при покупке будьте внимательнее и обращайте внимания на цвет текстолита, о котором я упомянул в описании модулей.
Комплект Corsair CMX4GX3M2A1600C7 оставил неоднозначные впечатления. С одной стороны, он показывает разгонный потенциал выше, чем у модулей Samsung.
“Веселее” всего в этой компании смотрится набор от Kingston. На данный момент модули HyperX показали лучшие результаты по сравнению со всеми остальными протестированными комплектами (в лаборатории в целом). Чего только стоят максимально стабильные частоты при CAS Latency 6 и 7. Более двух гигагерц на CL7 – это вам не шутки!
Оснастив комплект HyperX микросхемами Elpida MGH-E Hyper, компания Kingston сразу обратила на себя внимание оверклокеров. Мощные алюминиевые радиаторы отлично справляются с возложенными на них обязательствами, оставаясь тёплыми даже при долговременном стресс-тесте с напряжением 1.95 В.
На последний вопрос: “А так ли нужны эти крутые комплекты?” – однозначного ответа нет. Закоренелые\маститые оверы уже давно всё-всё знают. А простые любители железок (не все, конечно) только догадываются. Поэтому в следующей статье я постараюсь осветить вопрос влияния частот и таймингов памяти на производительность системы. Ждите…
Выражаем благодарность компании Xpert за предоставленные комплектующие для тестового стенда.
реклама
Страницы материала
Теги
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила