Сайт работает на сервере спонсора. Хостинг -
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Infineon DDR400 512Mb – скромный середнячок с одной особенностьюJordan 31.01.2005 03:11 ссылка на материал | версия для печати | архив
Довольно часто бывает, что при подготовке материала для статьи и перед проведением тестов чего-то не хватает. Казалось бы – мелочь, но обязательно в определенный момент именно ее и спохватишься, но уже либо поздно и времени совсем нет, либо уже и неактуально стало. Приходится перестраивать структуру статьи, перекраивать методику тестирования, а также сам материал по новой, отказываться от чего-то и упоминать об этом в тексте. Когда причиной этому является недоработка и ошибка тестера, то все более-менее понятно, а вот когда уже обстоятельства складываются не в нашу пользу, то становится отчасти обидно. Характерным примером обоих фактов является статья "Разгон и тайминги "бюджетных" модулей памяти DDR400 (PC3200) объемом 512Mb", когда вместо запланированных 12 модулей на тесты попали лишь 8 и когда отсутствовали тесты памяти при номинальном напряжении. Но ограничиваться проведенным тестированием никто не собирается, поэтому я постепенно, учитывая недоработки предыдущей статьи, продолжаю Вас знакомить с памятью, которую удается достать для проведения тестов.
![]() Мы познакомимся с двумя PC3200 модулями наиболее актуального на сегодня, на мой взгляд, объема в 512Mb, изучим их маркировку и, безусловно, проверим оверклокерский потенциал. Infineon DDR400 512Mb – память с двусторонним расположением чипов на подложке и без радиаторов: ![]() Наклейка несет на себе информацию о маркировке памяти, ее объеме, конфигурации чипов, а также о том, что память собрана в США: ![]() Маркировка чипов – HYB25D256800CE-5 – легко читаема: ![]() На официальном сайте Infineon присутствует полный datasheet памяти данного типа. Дата выпуска чипов памяти – 0432 (32-ая неделя 2004 года), в SPD же самого модуля прошита информация о выпуске его на 50-й неделе 2004 года: ![]() Тесты проводились на следующей конфигурации:
Методика тестирования была следующей: сначала запускался бенчмарк из Prime95, затем расчет 32Mb в Super PI, а уже потом тестирование памяти с помощью S&M в течение ~40 минут. Память была протестирована как на дефолтовом напряжении, равном 2.6v., так и при увеличении его до 2.8v. А вот при напряжении 3.0v. материнская плата с установленной памятью Infineon отказалась запускаться, капитулируя дотошным писком :(. Учитывая то, что при снижении напряжения до 2.8v. память спокойно продолжила работать, предположу, что срабатывала какая-то внутренняя защита, тем более что и Patriot, и Hynix, и Samsung, и даже Apacer поднятие напряжения до 3.0v. на данной материнской плате переносили спокойно. Вот такая вот интересная особенность... Тесты были проведены в обоих режимах работы памяти: одноканальном и двухканальном. Шаг изменения частоты, как и прежде, равнялся 1MHz. При сбое, либо зависании частота снижалась и тесты проводились вновь. После нахождения максимума частоты постепенно уменьшались тайминги. И так цикл за циклом. Тестирование началось с определения максимума частоты при максимальных таймингах и максимально возможном напряжении для данной памяти (2.8v.): ![]() Несмотря на то, что 245(490)MHz далеко не рекордный результат, провальным его также назвать нельзя. Средне. Причем, обратите внимание, что тайминги - 3-3-3-8 а не 3-4-4-8! Увеличение их до максимальных не приводило к увеличению частотного потенциала памяти, поэтому на скриншоте приведена именно такая конфигурация при максимуме частоты работы памяти. Снижение CAS Latency с 3 до 2.5, а также Cycle Time (Tras) с 8 до 7 понизило частоту работы памяти на 9MHz: ![]() Очередное уменьшение таймингов "снимает" уже 24MHz: ![]() Ну а на минимально возможных таймингах при напряжении 2.8v. память смогла работать только на 180(360)MHz: ![]() Большинство из Вас уже обратили внимание, что на всех скриншотах CPU-Z параметр "Perfomance Mode" отключен (disabled). Дело в том, что мне ни при каких условиях работы памяти не удалось активировать самый "легкий" аналог PAT на ABIT AS8-V – режим "Turbo". Логично, что про более агрессивные "Street Racer" и "F1" настройки вообще упоминать не стоит. Закончив тесты памяти на повышенном напряжении, я приступил к изучению ее возможностей при дефолтовом напряжении работы, по умолчанию равном 2.6v. Кратко скажу, что оверклокерский потенциал памяти снизился, но не значительно, и чтобы вновь не проводить Вас вновь по всему циклу тестов, представлю все результаты на одной сводной диаграмме: ![]() Да, в отличие от оперативной памяти Apacer, Infineon достигает более высоких частот при низких таймингах и его разгон в незначительной степени, но все же зависит от поднятия напряжения (до 2.8v.). Однозначно могу утверждать, что эта память лучше, чем протестированная несколькими днями ранее Apacer. И если уж до конца проводить параллели со всеми проверенными мною ранее бюджетными модулями, то 512Mb DDR400 память Infineon занимают почетное третье место (после Hynix и пары Kingston-ов). В общем, если сказать кратко, то средне. Ждем Ваших комментариев в специально созданной ветке конференции. Сергей Лепилов aka Jordan |
|