реклама
- Технология 3D NAND использует ячейки с плавающим затвором и позволяет создавать флеш-накопители с самым высоким уровнем плотности размещения ячеек, обеспечивая в 3 раза более высокую емкость по сравнению с другой памятью NAND.
- Новая разработка позволяет создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки емкостью более 3,5 ТБайт и стандартные твердотельные накопители форм-фактора 2,5 дюйма емкостью более 10 ТБайт.
- Новая методика проектирования позволяет сохранить актуальность закона Мура для флеш-накопителей, повышая плотность размещения и снижая стоимость памяти NAND.
Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память.
«Сотрудничество Micron* и Intel позволило создать ведущую в отрасли твердотельную технологию хранения данных, которая обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, высокую производительность и эффективность и значительно превосходит по рабочим характеристикам флеш-память, – сказал Брайан Ширли (Brian Shirley), вице-президент по технологиям памяти компании Micron Technology*. – Технология 3D NAND имеет большой потенциал для того, чтобы коренным образом изменить рынок памяти».
«Технологическое сотрудничество Intel и Micron* отражает наше стремление предложить на рынке передовые технологии энергонезависимой памяти, – сказал Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и руководитель подразделения Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. – Преимущества более высокой плотности и экономии, обеспечиваемые нашей новой технологией 3D NAND, ускорят внедрение твердотельных решений для хранения данных».
Инновационная архитектура технологического процесса
Одним из наиболее важных аспектов этой технологии является разработка принципиально новых ячеек памяти. Intel и Micron* выбрали ячейки с плавающим затвором, универсальную технологию, которая на протяжении многих лет использовалась при массовом производстве планарной флеш-памяти. Этот проект стал первым примером использования ячеек с плавающим затвором для трехмерной памяти на базе технологии 3D NAND. Кроме того, такой подход обеспечил более высокую производительность, качество и надежность.
Новая технология 3D NAND создает 32 слоя ячеек памяти, что позволяет обеспечить 256 Гбит для типа MLC и 384 Гбит для типа TLC. Увеличенная емкость дает возможность создавать твердотельные накопители размером с пластинку жевательной резинки с более чем 3,5 ТБайт для хранения данных и стандартные твердотельные накопители формата 2,5 дюйма, на которых можно хранить более 10 ТБайт данных. Т.к. более высокая емкость обеспечивается за счет установки ячеек друг на друга, размеры отдельных ячеек могут быть значительно больше. Предполагается, что это позволит увеличить производительность и срок службы и в будущем использовать технологию TLC в центрах обработки данных.
Основные характеристики продукции на базе технологии 3D NAND:
- Увеличенная емкость. В 3 раза более высокая емкость по сравнению с существующей технологией 3D – до 48 ГБайт памяти NAND на кристалл – для реализации 75% одного терабайта емкости в корпусе размером с палец.
- Более низкая стоимость на 1 ГБайт. Первое поколение памяти 3D NAND спроектировано таким образом, чтобы обеспечить более высокую экономическую эффективность по сравнению с планарной памятью NAND.
- Высокая скорость работы. Большая пропускная способность для операций чтения/записи, высокая скорость операций ввода/вывода и высокая производительность при операциях чтения в произвольном режиме.
- Низкое энергопотребление. Новые режимы ожидания обеспечивают низкое энергопотребление за счет обесточивания неиспользуемых кристаллов памяти NAND (даже если другой кристалл в корпусе используется).
- Интеллектуальный дизайн. Инновационные функции снижают латентность и увеличивают срок службы по сравнению с предыдущими поколениями продукции, что значительно упрощает интеграцию.
О корпорации Intel
Intel является лидером в области компьютерных инноваций. Корпорация разрабатывает и создает технологии, которые лежат в основе вычислительных устройств. Являясь лидером в сфере корпоративной и социальной ответственности, Intel также производит первые в мире «бесконфликтные» микропроцессоры. Дополнительную информацию о корпорации Intel можно найти на веб-сайте www.intel.ru/pressroom, на русскоязычном сервере http://www.intel.ru и на портале conflictfree.intel.com, посвященном инициативам Intel по отказу от использования конфликтных материалов.
Intel, Intel Core, Intel vPro, Ultrabook и логотип Intel и Core являются товарными знаками корпорации Intel в США и других странах.
* Другие торговые марки и товарные знаки являются собственностью их законных владельцев.
Примите участие в обсуждении твердотельных накопителей на каналах социальных сетей Intel’:
- Блоги IT Peer Network Blog: communities.intel.com/community/itpeernetwork/blog
- Facebook*: www.facebook.com/Intel
- Twitter*: www.twitter.com/IntelSSD
- YouTube*: www.youtube.com/user/channelintel
О компании Micron Technology, Inc.*
Micron Technology, Inc.* – мировой лидер в области производства полупроводниковых систем. Широкий ассортимент продукции, включающей память DRAM, NAND и NOR флеш, является основой твердотельных накопителей, модулей памяти, многокристальных модулей и других системных решений. Созданные на основе более 35-летнего лидерства компании, решения для хранения данных используются в самых передовых вычислительных и потребительских системах, корпоративных системах хранения данных, сетевых, мобильных, встраиваемых и автомобильных решениях. Акций Micron* торгуются на бирже NASDAQ* (обозначение MU). Дополнительная информация о Micron Technology, Inc.* доступна на сайте www.micron.com.
© 2015 г, Micron Technology, Inc.* Все права защищены. Micron и логотип Micron являются торговыми марками Micron Technology, Inc.
Примите участие в обсуждениях Micron* по вопросам памяти и хранения данных:
- Блог, посвященный инновациям: www.micronblogs.com
- Twitter*: www.twitter.com/micronstorage
- YouTube*: www.youtube.com/microntechnology
Сейчас обсуждают