Выступающий на технологической конференции JP Morgan исполнительный вице-президент Intel Мурти Рендучинтала (Murthy Renduchintala) не мог избежать вопросов о причинах и последствиях задержки с освоением 10-нм технологии, хотя тема была подробно раскрыта ещё на квартальном мероприятии. Его смущает сравнение Intel с "чистокровными" контрактными производителями полупроводниковых изделий, поскольку компания не только занимается литографическими технологиями, а ведёт много других разработок.

Тем не менее, как признал Рендучинтала, график перехода на 10-нм техпроцесс был загублен двумя важными факторами. Во-первых, это слишком агрессивное целевое масштабирование. Во-вторых, это отсутствие прорывов в используемых литографических установках. По крайней мере, с переходом на 7-нм технологию Intel уже рассчитывает применять оборудование со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), и это устранит ряд технологических рисков, с которыми приходится иметь дело сейчас.

Intel извлекла урок из ситуации с задержкой освоения 10-нм техпроцесса. При переходе на 7-нм технологию будет соблюдаться иной баланс плотности размещения транзисторов, их быстродействия, энергопотребления и сроков начала массового выпуска 7-нм продукции. По этой причине в Intel не видят причин говорить, что задержка с освоением 10-нм технологии пропорционально и линейно сдвинула сроки выхода первых 7-нм продуктов.