Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Расширяя спектр.

реклама

Месяц назад компания Samsung объявила о подготовке 11-нм FinFET техпроцесса, который служит промежуточным для 14-нм и 10-нм техпроцессов. В следующем году она предложит 7-нм техпроцесс, но до этого нишу между 10-нм и 7-нм техпроцессами будет занимать 8-нм техпроцесс, о готовности которого компания Samsung объявила вчера вечером. При этом в Samsung сообщили, что квалификация 8-нм техпроцесса 8LPP (Low Power Plus) на мощностях компании завершена на три месяца раньше отведённого планами срока.

Для внедрения техпроцесса 8LPP оказалось достаточно оптимизировать техпроцесс 10LPP, что не потребовало смены оборудования и не внесло коррективы в используемые материалы и производственные циклы. Зато ещё до перехода на 7-нм решения разработчики смогут получить продукцию с 10-% уплотнением по используемой площади на кристалле и со снижением потребления на 10 %. По словам Samsung, это понравится проектировщикам чипов для мобильных устройств, для криптовалютных и сетевых/серверных платформ, а также для массы других применений.

реклама

Техпроцесс с нормами 8 нм для компании станет последним, который ещё продолжает использовать традиционные 193-нм сканеры. Для выпуска 7-нм продукции во втором полугодии 2018 года компания первой в индустрии начнёт коммерческую эксплуатацию EUV-сканеров с длиной волны 13,5 нм. Но это уже другая история.

Показать комментарии (2)

Сейчас обсуждают