Как известно, память HBM по улучшенным спецификациям, которую неофициально принято называть HBM 2, компания Samsung начала выпускать с четрёхслойных 4-Гбайт микросхем с пропускной способностью 256 Гбайт/с. По слухам, компания SK Hynix к выпуску аналогичной продукции приступит в третьем квартале текущего года. Это не помешало SK Hynix привести на конференцию GTC 2016 образцы микросхем памяти HBM 2 и, раз уж они вышли с ними на люди, заставило ответить на кое-какие вопросы.

Производитель сообщил, что на следующем этапе он приступит к массовому выпуску восьмислойных 8-Гбайт чипов памяти HBM 2, а не более доступных двухслойных 2-Гбайт микросхем. Это очень сложное производство, но неназванный заказчик настаивает на приоритетном производстве более ёмких чипов, и в компании решили пойти ему на встречу. Компания Samsung также начнёт выпуск 8-Гбайт памяти HBM 2 на втором этапе — до конца текущего года, а 2-Гбайт — как-нибудь потом. Есть подозрение, что пока главным потребителем 8-Гбайт памяти HBM будет компания NVIDIA со своими монстрами GP100.

Что интересно, потребление 8-слойных микросхем HBM 2 будет не намного больше, чем потребление 4-слойных микросхем. В компании отказались назвать точную цифру, но намекнули, что разница будет в пределах 10%. Иными словами, наращивание бортовой памяти не будет ощутимо повышать тепловой бюджет упаковки.

Кстати, об упаковке. Чтобы охлаждать микросхемы памяти HBM одним радиатором с процессором, их высоту пришлось специально увеличить. Беда в том, что спецификации JEDEC не регламентируют высоту прокладок в составе микросхем памяти. Производителям приходится "допиливать" всё это по требованию заказчика. В компании SK Hynix надеются, что будет принято два или три допустимых типоразмера и жизнь наладится.