Неделю назад мы рассказывали о новой энергонезависимой NOR-флэш памяти компании Micron — XTRMFlash. Массовое производство новинки начнётся в первой половине следующего года в виде кристаллов ёмкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Сайт EE Times ещё раз уделил внимание этой разработке, взяв интервью у ответственного лица компании.

Уточняется, что память Micron XTRMFlash поконтактно совместимо с памятью с последовательным интерфейсом Quad-SPI, что упростит интеграцию XTRMFlash, хотя схемотехнику цепей поддержки немного придётся изменить. Но это окажется выгодным. На сегодня, как уверены в Micron, достойных альтернатив XTRMFlash попросту нет. У новой памяти на 75% меньше контактов, чем у самой быстрой NOR-флэш с параллельным интерфейсом, но устоявшаяся скорость обмена с микросхемами XTRMFlash достигает рекордной отметки в 400 МБ/с. По этому параметру с ней может сравниться только высокоплотная NAND-флэш, но по сфере использования эти две памяти не пересекаются.

Для своего назначения — в качестве энергонезависимой памяти для электроники автомобилей, летательных аппаратов, промышленных установок и тому подобного использования — память XTRMFlash показала наилучший результат. Приложения могут исполняться прямо в массиве ячеек, что ранее в подобном объёме было невозможно. Как известно, в моду входят автопилоты и системы распознавания речи. Для такого применения быстрая, надёжная и относительно ёмкая NOR-флэш Micron XTRMFlash определённо становится незаменимым подспорьем. Эту память уже оценили такие клиенты компании Micron, как компании Freescale, NXP, ST, Texas Instruments (TI) и Toshiba. Все они представят фирменные продукты с использованием XTRMFlash не позднее середины следующего года.