Энергонезависимая память типа NOR давно уступила первенство флэш-памяти типа NAND. Память NOR-типа значительно быстрее типа NAND, но у неё намного меньше плотность записи, поэтому в гонке за объёмами она уступила сопернице. В отдельных случаях, тем не менее, NOR-флэш всё ещё востребована, как более быстрая и с большей отказоустойчивостью — это промышленная электроника, аэрокосмическая сфера и в ряде бытовых приборов, не требующих больших ёмкостей памяти.

На днях компания Micron предложила новую, как она утверждает, разновидность памяти NOR-флэш с усовершенствованным интерфейсом. По словам производителя, память XTRMFlash значительно быстрее обычной NOR-флэш с последовательным интерфейсом и также быстрее NOR-флэш с параллельным интерфейсом, но опирается всего на 11 активных линий вместо максимум 40 (сравнение параллельного и последовательного интерфейса NOR см. на картинке выше).

Операция с произвольным доступом в памяти Micron XTRMFlash выполняется за 83 нс. Между считыванием двух последовательных байтов проходит всего 2,5 нc. Устоявшаяся скорость чтения при этом достигает 400 МБ/с, а устоявшаяся скорость записи — 300 МБ/с. Подобные скорости позволяют компании Micron утверждать, что память XTRMFlash идеально подходит для исполнения микрокода, что открывает путь к устройствам с мгновенным включением.

Образцы Micron XTRMFlash поставляются в виде микросхем ёмкостью от 128 Мбит до 2 Гбит. Ведущие разработчики контроллеров уже готовы предоставить необходимую схемотехнику для всех желающих использовать XTRMFlash в своих разработках. Сама Micron надеется, что новый интерфейс станет открытым стандартом и приобретёт популярность.