Утро понедельника после опустошающего отраслевого мероприятия – отличное время для поиска "залежалых" новостей, которым ранее в силу различных факторов внимание не уделялось. Коллеги с сайта KitGuru воспользовались этой возможностью, чтобы придать "вторую свежесть" опубликованному ещё в августе на страницах сайта ComputerBase.de материалу. Представители Samsung на IDF 2015 рассуждали о перспективах эволюции оперативной памяти.

Начинающая захватывать массовый сегмент рынка DDR4 сможет "вырасти" до режима DDR4-4266, но у памяти этого типа есть ряд серьёзных ограничений – например, на количество используемых в одном канале модулей памяти (две штуки на канал без применения специальных буферов), либо на количество "этажей" в многоярусной компоновке микросхем. В 2018 году Samsung рассчитывает начать выпуск микросхем оперативной памяти нового поколения, для которой пока нет ни названия, ни внятного описания архитектуры или принципа работы. Тем не менее, Samsung осознаёт, что память поколения "после DDR4" должна работать в режимах, эквивалентных DDR4-6400, предлагая ёмкость до 32 ГБ на один модуль из восьми микросхем.

Пока рассматривается ряд альтернативных технологий: STT-MRAM, PRAM и Re-RAM. Ожидается, что выпускаться память нового поколения будет по техпроцессам "тоньше" 10 нм, и массовое распространение начнётся не ранее 2020 года. Не исключается переход на оптический интерфейс. До тех пор DDR4 будет основным типом памяти, используемым в персональных компьютерах и серверном оборудовании.