Вчера раздельными пресс-релизами компании Toshiba и SanDisk сообщили о подготовке к производству первой в индустрии 48-слойной флэш-памяти NAND-типа ёмкостью 256 Гбит и с использованием трёхбитовой TLC-ячейки. Забавно, память в многослойном исполнении каждый из производителей может называть "первой в мире", поскольку число слоёв в каждом отдельном случае может быть уникальным. Так, компании Samsung, Intel и Micron эксплуатируют 32-слойную структуру 3D NAND, компания SK Hynix — 36-слойную, а Toshiba и SanDisk — 48-слойную. Также каждый из производителей по-своему называет 3D NAND-флэш. У компании Samsung — это 3D V-NAND, а компаний Toshiba и SanDisk — это BiCS (Bit Cost Scalable, недорогая и масштабируемая память).

В марте этого года Toshiba и SanDisk представили 48-слойные 128-Гбит микросхемы памяти BiCS. Свежий анонс повествует, что партнёры завершили разработку 48-слойной 256-Гбит микросхемы памяти BiCS с использованием трёхбитовой TLC-ячейки. Возможно, что 128-Гбит BiCS память партнёры выпускать не будут. Во всяком случае, сообщается, что в сентябре этого года для рассылки клиентам образцов будут отправляться только 256-Гбит чипы. Эти микросхемы подойдут для всего спектра применения NAND-флэш: как для долговременной памяти устройств, так и для выпуска твёрдотельных накопителей.

Массовое производство памяти BiCS начнётся в первой половине следующего года. Для производства 3D NAND компания Toshiba спешно перестраивает один из своих старых заводов — Fab2 в Иоккаичи. Ввод этого предприятия в строй намечен на первую половину 2016 года. Отметим, компания Toshiba плетётся в хвосте процесса перехода на выпуск 3D NAND. Первой два года назад к выпуску 3D NAND приступила компания Samsung и уже выпускает второе поколение трёхмерной памяти: 128-Гбит микросхемы типов MLC и TLC. Компания SK Hynix к производству 128-Гбит MLC 3D NAND приступила в текущем квартале, а компании Intel и Micron выпуск 256-Гбит MLC и 384-Гбит TLC 3D NAND начнут в четвёртом квартале текущего года.