Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
Без EUV-литографии не обошлось, и это главная проблема.

реклама

Пока эксперты рассуждают, какие трудности ждут производителей полупроводниковых изделий на пути освоения 10-нм технологии, британское издание Ars Technica публикует радостную для потребителей электроники весть: компании IBM в сотрудничестве с Государственным университетом Нью-Йорка удалось создать первые функционирующие образцы 7-нм микросхем. В работе над реализацией эксперимента принимали участие Samsung, GlobalFoundries и поставщики литографического оборудования – дело в том, что образцы 7-нм микросхем были созданы с использованием так называемой EUV-литографии, подразумевающей сверхжёсткое ультрафиолетовое излучение с длиной волны 13,5 нм против нынешних 193 нм.

реклама

По сути, именно EUV-литография может стать главным препятствием на пути 7-нм изделий на конвейер, поскольку её внедрение неоднократно откладывалось и в лучшие годы, а сейчас может затянуться и подавно. По этой причине называемые коллегами сроки внедрения 7-нм техпроцесса (2017-2018 годы) можно считать лишь приблизительными и очень оптимистичными.

Другая важная инновация – это использование соединений кремния и германия для формирования канала транзисторов в рамках 7-нм технологии. Плотность размещения транзисторов при этом удастся увеличить почти на 50% по сравнению с 10-нм технологией, соотношение производительности и энергопотребления улучшится пропорционально. Отрыв от массово применяемой сейчас 14-нм технологии будет ещё заметнее. Представители IBM предупреждают, что техпроцессы такого порядка (ниже 10 нм) будут достаточно затратными во внедрении, но получаемый прирост производительности и снижение энергопотребления будут в какой-то мере оправдывать не самую очевидную экономическую динамику. О сроках внедрения 7-нм технологии в массовом порядке пока говорить рано, но можно надеяться, что достижения IBM примут на вооружение GlobalFoundries и TSMC, как минимум.

Показать комментарии (18)

Сейчас обсуждают