В повестке дня конференции Intel для инвесторов значился и рассказ о прогрессе в сфере выпуска твердотельной памяти, которую корпорация производит в сотрудничестве с Micron. Коллеги с сайтов Tech Report и PCWorld изложили основные тезисы, которыми отвечающий за энергонезависимую память вице-президент Intel Роб Крук (Rob Crooke) пытался воодушевить инвесторов.

В следующем году компания Intel готова начать поставки на рынок твердотельной памяти с трёхмерной структурой нового поколения. Содержащие 32 слоя микросхемы памяти Intel готовы предложить вдвое большую плотность размещения информации по сравнению с конкурирующими решениями Samsung. Один терабайт данных, например, можно хранить в микросхеме памяти толщиной всего 2 миллиметра. Один кристалл памяти типа MLC может хранить 32 ГБ информации, а при использовании памяти типа TLC объём информации достигает 48 ГБ. Твердотельные накопители для серверного применения, способные хранить по 10 ТБ информации, появятся в ближайшие пару лет. А мобильные компьютеры типа "два в одном" смогут хранить по 1 ТБ информации на SSD, не жертвуя толщиной корпуса и другими габаритами.

Помимо увеличения ёмкости накопителей, переход на эту компоновку позволит снизить удельную себестоимость хранения одного гигабайта информации. Крук продемонстрировал прототип твердотельного накопителя, использующего память нового поколения. Первыми её получат накопители для серверного сегмента и энтузиастов. Твердотельная память сейчас занимает 20% рынка накопителей, но к 2018 году она может занять 50% рынка в сегменте ноутбуков, и до 35% серверного рынка. По крайней мере, в это верят руководители Intel.