Микросхемы памяти осваивают новые литографические процессы в числе первых, поскольку оперативная память выпускается в больших количествах, и её при этом "много не бывает", а твёрдотельные накопители стремятся расти в объёме и дешеветь. Как сообщает сайт DigiTimes со ссылкой на традиционные источники, перевод производства микросхем памяти NAND на 16-нм техпроцесс может столкнуться с некоторыми трудностями, которые замедлят весь процесс. Уровень выхода годных микросхем будет подбираться к приемлемым показателям не так быстро, как ожидалось.

Производители твёрдотельной памяти планируют освоить 16-нм техпроцесс в 2013 году. Приемлемый для массового производства уровень выхода годных микросхем будет достигнут не так быстро, как в случае с 19/20-нм техпроцессом. Впрочем, источники видят в этом и плюсы: ограниченность предложения позволит рынку памяти достигнуть состояния равновесия и стабилизировать цены. В первой половине этого года цены на память, например, падали. Производителям удалось остановить падение цен путём сокращения объёмов выпуска памяти. Toshiba, в частности, сократила производство памяти на 30%. Объёмы выпуска памяти в 2013 году должны расти медленными темпами, её совокупная ёмкость тоже будет наращиваться не так быстро, как в последние годы.