Работа над технологиями магниторезистивной памяти, или MRAM, началась в 90-х годах прошлого столетия. Главным преимуществом этого типа запоминающих устройств является энергонезависимость. Сторонники технологии верят, что MRAM станет единым стандартом компьютерной памяти, хотя до сих пор решение не получило распространения на рынке. Лабораторные успехи, о которых время от времени докладывают разработчики, не приближают стадии коммерческого использования MRAM, но компания Everspin перешла от слов к делу и объявила о начале поставок микросхем магниторезистивной памяти.

Заказчики Everspin могут получить тестовые образцы изделий плотностью 64 Мбит (EMD3D064M 64 Mb DDR3 ST-MRAM). Работа данной памяти основана на технологии переноса спинового момента (Spin Torque Transfer): электроны с заданным состоянием спина вращаются определённым образом, изменение их направления соответственно меняет магнитное поле частиц, что и рассматривается как переход ячейки от одного логического состояние в другое. Считается, что технология STT должна помочь магниторезистивной памяти преодолеть трудности, с которыми "обычная" MRAM сталкивается при наращивании плотности микросхем.

В перспективе Everspin планирует увеличить ёмкость поставляемых микросхем до нескольких гигабит. Начало массового производства запланировано на начало 2013 года.