Компании IBM и Globalfoundries начнут совместное производство микросхем нового поколения на заводах, расположенных в штате Нью-Йорк. Согласно условиям, о которых поведает официальный пресс-релиз, Globalfoundries прибегнет к производственным мощностям завода Fab 8, где массовое производство полупроводниковых пластин развернётся во второй половине 2012 года. IBM владеет собственной фабрикой в Восточном Фишкилле, где уже приступили к выпуску пробных образцов 300-миллиметровых пластин. Fab 8 в будущем освоит выпуск изделий по заказам AMD.
Микросхемы будут выпускаться в соответствии с технологией "кремний на изоляторе" (англ. Silicon on insulator, SOI) с применением металлических затворов и материалов с высоким значением диэлектрической постоянной (HKMG). Предполагается, что компаниям удастся наладить производство многоядерных полупроводниковых устройств с высокой производительностью.
Изначально сотрудничество предполагает использование 32 нм технологического процесса, но в будущем компании собираются расширить партнёрство с целью освоения 28 нм производственных норм. Также нужно отметить, что IBM и Globalfoundries собираются использовать технологию eDRAM (embedded dynamic random access memory), которая допускает расположение кристаллов оперативной памяти непосредственно на центральном процессоре.
Главная страница
