Нанотехнологи из исследовательского центра имени Бирка (США) работают над созданием нового типа памяти. Разработка носит название FeTRAM - (ferroelectric transistor random access memory), ферротранзисторная память. Технология, по которой она будет создаваться, предполагает использование транзисторов, сделанных из кремниевых нанопроводников в совокупности с сегнетоэлектрическим (ферроэлектрическим) полимером. Напомним, что сигнетоэлектрические материалы способны менять свою полярность под воздействием магнитного поля. Соответственно, состояние такого транзистора в данной памяти будет считываться, и приниматься как логический "0" или "1".

Согласно утверждениям разработчиков, память FeTRAM будет энергонезависимой и сможет хранить информацию неограниченно долгое время. Кроме того, во время работы она будет потреблять всего один процент от энергетических затрат современных флеш-накопителей, а её скорость чтения-записи будет превосходить статическую память SRAM. Всё это, конечно, выглядит слишком красиво и маловероятно, однако исследователи под руководством профессора Йорга Аппенцеллера (Joerg Appenzeller) уже подкрепили свои теории экспериментами, доказавшими, что данная технология реализуема. Сейчас основной задачей учёных является уменьшение рассеиваемого микросхемами памяти электричества. Пожелаем им успехов, и будем ожидать появления первых прототипов FeTRAM – накопителей.