Производители твёрдотельной памяти активно ищут пути её дальнейшего совершенствования, которые позволили бы снизить себестоимость, а также поднять плотность и скорость записи информации. Компании
Elpida и Spansion на прошлой неделе объявили о создании первых образцов ячеек памяти типа SLC плотностью четыре гигабита, использующих технологию улавливания заряда. Ноу-хау было предложено компанией Samsung ещё в 2003 году, но до 2006 года не находило практической реализации. По сравнению с более распространённой памятью с плавающим затвором, память с ловушкой заряда позволяет сократить количество ступеней техпроцесса производства и заметно увеличить плотность записи. Это приводит к лучшей масштабируемости и снижению себестоимости производства памяти.
Elpida собирается начать поставки образцов соответствующих микросхем памяти в четвёртом квартале этого года, чтобы в первом квартале приступить к поставкам серийных изделий. Помимо 4-гигабитных микросхем, разрабатываются и микросхемы плотностью 1 и 2 гигабита. Elpida будет комбинировать микросхемы твёрдотельной памяти с оперативной памятью для мобильных устройств, чтобы производители последних смогли получать два этих компонента от одного поставщика на более выгодных условиях. Spansion, которая начнёт свои поставки аналогичной памяти на квартал позже, ориентирует новинку на рынок встраиваемой техники, промышленных компьютеров и телекоммуникационного оборудования.
Главная страница
