По оценкам отраслевых экспертов, на каком-то этапе возможности твёрдотельной памяти типа NAND по увеличению плотности записи будут исчерпаны, поэтому учёные и инженеры активно ищут альтернативные технологии хранения информации. Компания HP делает ставку на мемристоры - элементы, способные изменять своё сопротивление, тем самым позволяющие хранить состояние "1" или "0". Теория мемристора была описана ещё в 1971 году, но первый реальный образец этого элемента был получен в лабораториях HP в 2008 году.
Как сообщает сайт EE Times, компания HP не собирается лично заниматься производством мемристоров и памяти на их основе, а потому она начала сотрудничество в этой сфере с корейской компанией Hynix, которая может выпустить продукты с использованием мемристорной памяти ReRAM к концу 2013 года. Обещается, что плотность записи для этого типа памяти будет в два раза выше, чем у существующих твёрдотельных устройств. К преимуществам мемристорной памяти следует отнести способность не терять заряд с течением времени, устойчивость к воздействию радиации и возможность использования многослойной компоновки. Кроме того, мемристор может взять на себя и функции транзистора, выполняя некие логические операции. Вычисления можно будет делать не только силами специализированных процессоров, но и силами памяти.
Мемристоры можно использовать для создания твёрдотельных накопителей и оперативной памяти. В последнем случае очень пригодится способность запоминать состояние после отключения питания - операционную систему не придётся загружать заново. Какого рода устройства начнут использовать ReRAM первыми, компания HP не уточняет. В дальнейшем разработчики собираются поделиться ноу-хау и с другими производителями памяти, что позволит снизить стоимость конечных устройств.
