Переводя память на более современные 40 нм техпроцессы, производитель снижает уровень энергопотребления, повышает плотность записи информации, экономит на издержках производства. Покупатель получает более ёмкие модули оперативной памяти, которые потребляют меньше электроэнергии. Компания
Samsung вчера объявила о начале массового производства четырёхгигабитных микросхем памяти типа DDR3-1600, выпускаемых по 40 нм технологии.
Впервые представив 40 нм микросхемы DDR-3 в июле прошлого года, компания Samsung за семь месяцев смогла увеличить плотность записи до 4 Гбит. Новое поколение памяти имеет номинальное напряжение 1.35 В или 1.5 В, объём одной планки может достигать 16 или 32 Гб в случае использования регистровой организации, и 8 Гб в случае использования модулей SoDIMM для ноутбуков.
В ближайшее время Samsung планирует перевести более 90% своей памяти типа DRAM на 40 нм технологию производства. Применение модулей памяти нового поколения в серверных системах позволяет снизить общий уровень энергопотребления на величину до 10%.
Главная страница
