реклама
Между тем, сайт News.com со ссылкой на представителей IBM сообщил, что технология MRAM довольно плохо масштабируется в рамках перспективных технологических процессов, поэтому IBM решила вести дальнейшие разработки в сфере STT-RAM, которая снимает подобные ограничения. Название памяти STT-RAM содержит сокращение фразы Spin Torque Transfer - "передача спинового вращательного момента". Вращательные моменты электронов упорядочиваются определённым образом, что позволяет изменять направление магнитного поля частиц, из которых состоит память типа STT-RAM. Смена направления магнитного поля приводит к изменению сопротивления элемента, что приравнивается к переходу из состояния "0" в состояние "1".
IBM собирается разрабатывать эту технологию совместно с TDK, первые прототипы должны быть выпущены по 65 нм техпроцессу в ближайшие четыре года. Надо сказать, что технологию STT-RAM также разрабатывает и калифорнийская компания Grandis, которая уже готова поставлять опытные образцы в этом году. По сравнению с технологией MRAM, данное ноу-хау позволяет не только добиться повышения плотности записи информации, но и снизить уровень энергопотребления. Если сравнивать PRAM и STT-RAM, последняя обладает более высоким быстродействием, но первая отличается более высокой плотностью. Кроме того, STT-RAM должна обладать более высокой долговечностью по сравнению с PRAM.
реклама
Память типа STT-RAM может получить применение в будущих разработках IBM и её партнёров, одним из которых является и AMD. В любом случае, технология создания памяти типа STT-RAM пока находится на ранней стадии зрелости, поэтому говорить о близости момента её воплощения в жизнь силами IBM пока рано.
Сейчас обсуждают