Компания Samsung отчиталась об успехах в создании памяти с фазовым переходом (PRAM) почти год назад. Предполагается, что через несколько лет этот тип энергонезависимой памяти заменит собой привычную нам NOR flash. По сравнению с предшественницей, PRAM будет иметь более высокую скорость, более высокую плотность записи, более высокую долговечность и более низкую себестоимость.

Как сообщает сайт TG Daily , компания Intel тоже проявляет интерес к энергонезависимой памяти с фазовым переходом (Phase Change Memory). Для разработок в этой сфере будет создано совместное предприятие с компанией Numonyx, которая была создана на базе бывшего подразделения Intel по производству флэш-памяти с привлечением ресурсов ST Microelectronics. Память типа PCM будет обладать большей долговечностью - примерно в 100 раз, а также будет отличаться повышенным быстродействием. Intel планирует использовать энергонезависимую память с фазовым переходом в твёрдотельных накопителях в составе многоядерных систем. По сути, такие накопители должны заменить привычные нам жёсткие диски в определённых сферах применения.

Если современная флэш-память использует электрический заряд для хранения единицы информации, то память с фазовым переходом по принципу работы больше похожа на перезаписываемые оптические диски CD или DVD. Халькогенидный сплав (стеклообразный полупроводник) изменяет своё фазовое состояние под нагревом при помощи лазера: в кристаллической фазе он является проводником, в аморфной фазе он не проводит электрический ток.

Пока технология хранения данных в такой памяти далека от совершенства - например, она чувствительна к колебаниям температур. Тем не менее, имеющиеся образцы памяти с фазовым переходом позволяют считать, что её использование в будущем оправдано с экономической точки зрения. В качестве конкурирующей технологии рассматривается магнитно-резистивная память MRAM, но пока соответствующие образцы имеют довольно низкую плотность хранения информации.