Мы уже не раз отмечали, что экспансия памяти типа
DDR2-800 начнётся в этом году, а эволюция стандартов памяти в дальнейшем предложит переход на DDR-3. Он будет менее трудным, чем в случае с переходом от DDR-I к DDR-II. Предполагается, что разъёмы DIMM для DDR-3 конструктивно будут такими же, как и для DDR-II. Потребуется лишь модернизация подсистемы питания памяти и замена чипсета, а также адаптация разводки материнской платы.
Долгое время хранивший молчание сайт HKE PC сегодня разродился серией публикаций о тайваньской сессии IDF Spring 2006. Мы узнали, что компания Samsung продемонстрировала образец модуля памяти DDR3-800 объёмом 512 Мб с поддержкой ECC. Кроме того, этот крупный производитель памяти рассказал о планах по переходу на DDR-3.
Итак, компания Intel начнёт использовать память типа DDR-3 для своей платформы примерно во второй половине 2007 года. DDR-3 будет работать при более низком напряжении питания - 1.5 В против 1.8 В у DDR-II. Наряду с более "тонким" 0.07 мкм техпроцессом производства, это позволит снизить потребляемую мощность на 20-30%. Считается, что DDR-3 станет доминирующим типом памяти к первому кварталу 2009 года.
Новый стандарт памяти начнёт свой путь с DDR3-800, продолжит в виде DDR3-1066 и DDR3-1333, и закончит в обличье DDR3-1666. Хотелось бы верить, что такой разброс тактовых частот будет способствовать успешному разгону :).
DDR-3 обзаведётся функцией мониторинга температуры - текущая температура памяти будет отображаться в BIOS материнской платы. Надо полагать, оверклокерам такая функция тоже пригодится.
