Итак, на этот раз представители Intel совместно с исследователями из QinetiQ рассказали о применении сурьмида индия (InSb - indium antimonide) для производства более быстрых и экономичных полупроводниковых продуктов. Использование этого соединения позволяет повысить быстродействие транзисторов на 50% и одновременно снизить энергопотребление почти в 10 раз. Транзисторы получают возможность работать при напряжении 0.5 В, что в два раза ниже напряжения, при котором работают сегодняшние транзисторы. Прототип перспективного транзистора имеет величину затвора 85 нм - это более чем в два раза меньше, чем у нынешних полупроводниковых изделий Intel.

Безусловно, реальные продукты с использованием вещества InSb будут иметь менее впечатляющие характеристики, но определённый прогресс в развитии полупроводников они всё равно обеспечат. В частности, именно на этот материал Intel делает ставку в своих прогнозах по следованию Закону Мура вплоть до 2015 года и далее. При этом от использования кремниевых полупроводников никто не собирается отказываться, новые материалы будут лишь дополнять существующие.

Надеемся, что данные наработки позволят Intel повысить быстродействие будущих процессоров, при этом сохраняя привлекательный уровень энергопотребления. Если учесть, что на рынке появляется всё больше различных мобильных устройств, фактор сохранения энергетической экономичности во многих случаях обретает первостепенное значение.