Чипы памяти Samsung серии TCCD: новый хит разгона

Знатоки оверклокерской памяти наверняка помнят о чипах Winbond BH-5, которые отличались феноменальной способностью сохранять низкие тайминги на высоких частотах. Для этого им обычно требовались внушительные напряжения типа 3.3 В, которые стандартными средствами серийных материнских плат просто не обеспечивались. По мере роста тактовых частот используемой оверклокерскими брендами памяти тайминги неизбежно ухудшались, и лишь чипы Hynix выглядели относительно благополучным исключением.

Оказывается, что в природе существуют чипы памяти с низкими задержками и хорошим частотным потенциалом. Их массовое производство начинает компания Samsung, поставки будут налажены с июня этого года. Эти чипы могут работать на частоте DDR 400 при значении таймингов 2-2-2-5, а до частоты DDR 500 разгоняться лишь с незначительным ослаблением таймингов – например, до 2.5-3-3-7. Напряжение на памяти при этом не должно превышать 2.75 В, что вполне по силам большинству современных материнских плат.

Как же отличить эти чудесные чипы, и где их можно встретить? Во-первых, последние четыре символа маркировки этой памяти будут выглядеть так: -TCCD. Во-вторых, производством оверклокерских модулей на этих чипах планируют заняться два крупных бренда: OCZ Technology и Corsair. Первая компания анонсировала модули OCZ PC-3200 2-2-2 Platinum Rev 2, а Corsair представила серию XMS 3200XL.

К счастью, наши коллеги с сайта Legit Reviews уже успели протестировать двухканальный набор Corsair TwinX 1024-3200XL, состоящий из двух модулей емкостью 512 Мб. На частоте 400 МГц DDR они работают при таймингах 2-2-2-5 и напряжении 2.7 В.

Как сообщают представители Corsair, модули этой серии обладают широкой универсальностью, так как обеспечивают низкие задержки и хороший частотный потенциал. Кроме того, они совместимы с большинством существующих платформ, включая Socket 478, Socket A, Socket 754 и даже Socket 939. Универсальность и отменная стабильность – вот основные аргументы в пользу приобретения подобных модулей.

Отметим, что в тестовой лаборатории на материнской плате Asus P4C800-E Deluxe эта память разогналась до частоты 500 МГц DDR, при этом тайминги равнялись 2.5-3-3-6, а режим PAT был включен.

Тест на пропускную способность памяти SiSoft Sandra 2004 при частоте 400 МГц DDR показал результат в 4958 Мб/с – весьма завидное достижение, надо сказать! При частоте 500 МГц DDR удалось достичь результата в 6059 Мб/с, что для чипсета i875P является близким к рекорду значением.

Надо заметить, что OEM-варианты модулей памяти на чипах Samsung серии TCCD не появятся в магазинах сразу же после начала поставок соответствующих продуктов Corsair и OCZ, но наличие у корейского производителя внушительных производственных мощностей позволяет надеяться, что и "бедные крестьяне" смогут полакомиться данной памятью уже этим летом. Тем более, что новые платформы от Intel и AMD пока не демонстрируют преимуществ от использования памяти DDR-II, и "свежая кровь" в семействе DDR 400 не помешает :).